Samsung begint met de massaproductie van embedded ufs 3.0-geheugenchips met capaciteiten van 128GB en 512GB. De chips halen tot 2100MB/s en komen deze maand uit. In de tweede helft van dit jaar komen er 256GB- en 1TB-versies.
De ufs 3.0-geheugenmodule van 512GB bestaat uit acht gestapelde 512Gbit-dies van de vijfde generatie V-Nand-geheugen en een geïntegreerde geheugencontroller. Samsung brengt deze maand ufs 3.0-geheugenmodules uit met capaciteiten van 128GB en 512GB. Wellicht hebben de Galaxy S10, S10+ en S10e met die geheugengrootte deze chips aan boord. Op de specificatiepagina van de smartphones meldt Samsung niet welke ufs-opslag precies wordt gebruikt.
Volgens Samsung is het ufs 3.0-opslaggeheugen tot twee keer zo snel als ufs 2.1-flashopslag. De 512GB-chip haalt een maximale sequentiële leessnelheid van 2100MB/s en een schrijfsnelheid van 460MB/s. In januari presenteerde Samsung een ufs 2.1-module met een capaciteit van 1TB. Die heeft een leessnelheid 1000MB/s en schrijfsnelheid van 260MB/s. Vermoedelijk zit die module in de 1TB-versie van de Galaxy S10+.
Vanaf de tweede helft van dit jaar produceert Samsung ook ufs 3.0-modules van 256GB en 1TB. Die zouden bijvoorbeeld hun weg kunnen vinden naar de Galaxy Note 10. Samsung levert zijn ufs-geheugenmodules ook aan andere fabrikanten.
Geheugen | Sequentiële leessnelheid | Sequentiële schrijfsnelheid | Willekeurige leessnelheid | Willekeurige schrijfsnelheid |
512GB eUFS 3.0 | 2100MB/s | 410MB/s | 63.000iops | 68.000iops |
1TB eUFS 2.1 | 1000MB/s | 260MB/s | 58.000iops | 50.000iops |
512GB eUFS 2.1 | 860MB/s | 255MB/s | 42.000iops | 40.000iops |
eUFS 2.1 voor automotive | 850MB/s | 150MB/s | 45.000iops | 32.000iops |
256GB UFS Card | 530MB/s | 170MB/s | 40.000iops | 35.000iops |
256GB eUFS 2.0 | 850MB/s | 260MB/s | 45.000iops | 40.000iops |
128GB eUFS 2.0 | 350MB/s | 150MB/s | 19.000iops | 14.000iops |
eMMC 5.1 | 250MB/s | 125MB/s | 11.000iops | 13.000iops |
eMMC 5.0 | 250MB/s | 90MB/s | 7000iops | 13.000iops |
eMMC 4.5 | 140MB/s | 50MB/s | 7000iops | 2000iops |