SK Hynix heeft 96-laagsnandgeheugen van 512Gbit aangekondigd dat door het bedrijf '4d nand' wordt genoemd. Hierbij combineert het bedrijf 3d-nand met periphery under cell-technologie. De massaproductie moet nog dit jaar van start gaan.
SK Hynix integreert voor het nieuwe geheugentype zijn 3d-nand op basis van charge trap flash met periphery under cell. Een resulterende 512Gbit-chip met het 96-laagsnandgeheugen is volgens het bedrijf 30 procent kleiner dan een 512Gbit-chip met 72-laags-3d-nand. Ook heeft het nieuwe geheugen volgens SK Hynix 30 procent hogere schrijfsnelheden en 25 procent hogere leesprestaties. De geclaimde i/o-snelheid ligt op 1200Mbit/s bij een spanning van 1,2V.
Periphery under cell is de naam die SK Hynix gebruikt voor de techniek om de aansturingslogica van de geheugencellen onder het nand te plaatsen. Aangezien deze logica geen kostbare die-ruimte in 'de periferie' van de cellen meer inneemt, kunnen er meer cellen geplaatst worden en neemt de dichtheid toe.
/i/2002288567.jpeg?f=imagenormal)
Die techniek is niet nieuw. Intel en Micron gebruiken deze al voor hun 3d-nand, onder de naam cmos under array. Die fabrikanten maken echter gebruik van floating gates voor hun 3d-nand, zodat SK Hynix kan claimen het eerste bedrijf te zijn dat charge trap flash met de techniek combineert. Overigens heeft ook Samsung aangekondigd met een eigen variant van cmos under array te komen, schrijft Tom's Hardware, dat in augustus aanwezig was bij de Flash Memory Summit, waar SK Hynix een presentatie hield over zijn '4d nand'.
SK Hynix meldt dat de 512Gbit-chips nog dit jaar tot een introductie van consumenten-ssd's met een opslagcapaciteit van 1TB kunnen leiden, waarbij de fabrikant zijn eigen controllers en firmware gebruikt. Volgend jaar volgen zakelijke ssd's en ook verwacht het bedrijf dan 96-laags-1Tbit-chips van tlc- en qlc-nand te kunnen produceren.