Twee Amerikaanse bedrijven hebben een methode ontwikkeld waarmee phase change-geheugen efficiënter geproduceerd kan worden. Bovendien zou het geheugen een langere levensduur beschoren zijn dan traditioneel flashgeheugen.
Phase change-geheugen kan een veelbelovend alternatief voor meer traditionele geheugenvarianten als nand- en nor-flashgeheugen zijn, aangezien deze geheugencellen sneller herschreven kunnen worden dan flash-varianten. Bij phase change-geheugen bestaat een geheugencel uit een cylindervormig gat in een halfgeleiderlaag dat wordt gevuld met een chalcogeen materiaal. Een dergelijk materiaal kan twee toestanden aannemen: een kristallijne structuur, waarin het een lage elektrische weerstand heeft, en een amorfe structuur, waarin de weerstand hoog is. Elk van deze toestanden representeert een logische nul dan wel een logische een. Het materiaal kan van de ene naar de andere toestand worden overgebracht door het met stuurstromen te verwarmen.
De grootte van het chalcogene materiaal, dat meestal uit een legering van germanium, antimoon en tellurium bestaat, is cruciaal voor een correct 'smelt- en stolprofiel' van het materiaal. Dat maakt de productie van het geheugen lastig: met name de verhouding tussen de hoogte en de doorsnede van het germanium-antimoon-tellurium-materiaal is kritisch. Met het fysiek aanbrengen van een GST-damp, een techniek die als pvd bekend staat, is het niet mogelijk de juiste verhouding te bereiken. Door het materiaal echter chemisch op te dampen middels cvd zijn de bedrijven erin geslaagd cylinders met een diameter van 40nm en een hoogte van 200nm te produceren. Door de verhouding tussen diameter en hoogte te optimaliseren, zou de hoeveelheid materiaal beperkt kunnen worden, waardoor de geheugencellen energiezuiniger zouden functioneren. Samen met Atmi heeft Ovonyx een methode ontwikkeld om GST middels cvd aan te brengen. Het chemisch opdampen vergde echter wel een specifiek uitgangsmateriaal om de gewenste eigenschappen op te leveren. Ovonyx specialiseert zich in de productie van het geheugen, terwijl Atmi dat uitgangsmateriaal aanleverde.
De bedrijven denken dat de techniek schaalbaar is tot beneden de 40nm; zelfs geheugencellen van ongeveer 10nm doorsnee zouden haalbaar moeten zijn. Ook zouden geheugencellen die uit het nieuwe materiaal zijn opgebouwd, nauwelijks te lijden hebben onder een herhaaldelijke toestandsverandering van kristallijn naar amorf en vice versa: de onderzoekers melden dat hun phase change-geheugen meer dan een miljoen schrijf- en wiscycli kon doorstaan. Ter vergelijking: traditioneel flashgeheugen wordt gegarandeerd voor ongeveer honderdduizend cycli.
