Het kersverse bedrijf Numonyx, opgezet door Intel en Stmicroelectronics, heeft zijn eerste samples van phase change memory verstuurd. Al dit jaar moet het nieuwe geheugen commercieel geëxploiteerd kunnen worden.
Brian Harrison, de ceo van Numonyx, liet tijdens een persconferentie weten dat zijn bedrijf verwacht nog dit jaar inkomsten uit phase change-geheugen te genereren. In de komende een tot twee jaar moet het geheugenalternatief volgens Harrison goed verkrijgbaar worden. De geheugenfabrikant zou in staat zijn om het pram met dezelfde apparatuur te fabriceren als flashgeheugen. Ook hebben Intel en Stmicroelectronics, en daarmee Numonyx, in de laatste jaren de nodige kennis opgedaan met betrekking tot het kristallijne substraat dat de bits vormt.
Pram werkt door de glazen bits met een laser te verhitten, waarna de bits smelten en, afhankelijk van het koelproces, in kristallijne of amorfe vorm weer stollen. De waarde van een bit is vervolgens afhankelijk van de glasstructuur en daarmee de weerstand van het gestolde materiaal. Pram belooft duurzamer geheugen te zijn dan flashgeheugen: miljoenen lees- en schrijfacties zijn haalbaar, terwijl de leessnelheid van het geheugen zich kan meten met nor-geheugen en de schrijfsnelheid die van nand-flash evenaart. Het geheugen is bovendien zuinig met energie.
Numonyx hoopt in 2009 45nm-productietechnologie te gaan gebruiken. Daarmee zouden twee bits per cel opgeslagen kunnen worden, waardoor de prijzen van pram op het niveau van nand-flash zouden komen. In de toekomst zou pram zich ook makkelijker dan andere geheugentypes laten schalen: de logica om de geheugencellen aan te sturen wordt niet complexer en kleinere cellen laten zich met minder warmte 'smelten', zodat ook de warmteproductie afneemt.
