Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , 24 reacties
Bron: TG Daily

In het tweede kwartaal van dit jaar bezat Samsung een marktaandeel van 46,2 procent in de markt voor NAND-flashgeheugen. Om dat marktaandeel vast te houden en verder te groeien richting andere markten dan die voor draagbare audiospelers en geheugenkaarten, heeft het bedrijf enkele interessante plannen in petto. Het eerste is dat verder gewerkt zal worden aan het verkleinen van chips met behulp van zogenaamde 'charge trap'-technologie. In de huidige NAND-technologie wordt gebruikgemaakt van een 'poly-silicon dual-gate'-structuur, terwijl dit onder de nieuwe plannen een aanzienlijk kleinere en zuinigere 'metal single-gate'-structuur gaat worden. Dit betekent dat 256Gb-chips geproduceerd kunnen worden met behulp van een 20nm-productieproces, waar eerder nog het maximum op 16Gb en 50nm lag.

Verder is het de bedoeling dat NAND-geheugen op meer plekken ingezet gaat worden. De technologie wordt nu voornamelijk in digitale camera's, audiospelers, usb-sticks en mobiele telefoons gebruikt, terwijl NAND-producten volgens Samsung ook in harde schijven goed van pas zouden komen. Ook zal door Samsung gewerkt worden aan het ontwikkelen van een variant op NOR-geheugen, zogenaamd 'write once, read many'-geheugen, dat 30 maal sneller is en tien keer zoveel leescycles aankan als de huidige varianten. Dit geheugen heeft de naam Phase-change Random Access Memory (PRAM) meegekregen en zou zo goed als geen beperkingen kennen op het gebied van opslagruimte. In 2008 zouden de eerste PRAM-geheugenchips, met een grootte van 512Mb, op de markt moeten komen.

Samsung NAND-flashgeheugen in Solid State Disk (SSD)
Samsung NAND-flashgeheugen in Solid State Disk
Moderatie-faq Wijzig weergave

Reacties (24)

Leescycles? Ik dacht altijd dat je een flash-stick oneindig keer kon uitlezen, maar "slechts" 10.000 keer beschrijven. Maar blijkbaar slijten de chips ook door uitlezen? Zo ja, is het dan ook schadelijk de USB-stick non-stop op de computer te hebben? De stick staat steeds onder stroom...
LOL het gaat om de snelheid, niet om de levensduur van de lees opdrachten. ;)
Tegenwoordig zitten ze aan de 100.000 keer of zelfs hoger.
Dit zijn zowiezo hoge aantallen en als je daarbij een stukje software gebruikt die schrijfopdrachten verdeeld over de gehele oppervlakte zodat een bepaalde stuk niet continue wordt belast kun je nog jaren vooruit.
Dit verbetert iedere generatie. Het is nu zelfs reeds nauwelijks van toepassing. Je kan berekenen dat voor 24/7 werking met 10% schrijfopdrachten (*) en een capaciteit van enkele gigabyte je al heel wat jaren toekomt. Bij de volgende generatie zit men vast en zeker over de levensduur van een hoge kwaliteit mechanische harde schijf.

(*) Lezen 'verslijt' de transistors niet, en schrijven gebeurt veel minder vaak.
HHmmmm, was intel niet die al op 45nm wou zitten met de processors. Dan is Samsung intel te snel af, door al op 40 nm te zitten. En te bedenken dat Samsung 99% ASML koper is.
De 45 nm van Intel is een andere afmeting dan de 40 nm van Samsung. De effectieve gate-lengte van Intel is misschien 25 nm (ik zeg maar iets). Als de 40 nm van Samsung de effectieve gate-lengte is dan zitten ze toch nog dik een generatie achter, zoals gewoonlijk.

Soit, de echte verhoudingen ken ik niet, maar je kan deze afmetingen niet zomaar vergelijken tussen verschillende toepassingen.
Flash geheugen loop altijd voor op cpu's qua productie proces, het is een stuk minder complex.
Zo'n 256 Gb chip is wel reuze interessant. Een 36 GB Raptor harde schijf is ook maar zo'n goeie 32 GiB effectief. Dus een klein aantal van die chips in 'RAID' geeft je n een hoge doorvoersnelheid n verwaarloosbare toegangstijden. Het traagste deel van huidige systemen is daarmee ineens heel veel sneller zodat alles vlotter werkt.
Dat zijn natuurlijk wel 256 Gb chips van over een aantal jaren en voor zeer hoge prijzen. Het is niet alsof over 2 maanden opeens de prijzen van flash met een factor 10 of zelfs maar 2 kelderen als deze plant online komt.
/Quote

Ook zal door Samsung gewerkt worden aan het ontwikkelen van een variant op NOR-geheugen, zogenaamd 'write once, read many'-geheugen, dat 30 maal sneller is en tien keer zoveel leescycles aankan als de huidige varianten. Dit geheugen heeft de naam Phase-change Random Access Memory (PRAM) meegekregen en zou zo goed als geen beperkingen kennen op het gebied van opslagruimte

/Quote

Write ONCE, read many.. Lijkt me dus WEL een beperking op het gebied van opslagruimte
Wel een beperking, maar niet op de ruimte. Zie het als een halfgeleider variant op de cdrom, maar dan met (bijna) onbeperkte grootte.
40 nm? Ja, waarschijnlijk afkomstig van ASML's XT:1700Fi (of het Nikon equivalent); ASML spect dat deze machine tot 45 nm kan, maar Samsung staat er om bekend de machines volledig tot op de grens uit te knijpen, dus 40 nm is niet onmogelijk

20 nm? Mwah... Geen zgn. "dense lines" lijkt me... Zowel de XT:1700Fi als de machine van Nikon komen niet lager dan 45 40 nm half pitch (dense lines)... Die 20 nm van Samsung lijkt verdacht veel op 40 nm lijntjes in resist die vervolgens voor de helft weg getst worden, tot er nog 20 nm over blijft (de zgn. "isolated lines").
Een node lager dan 40 nm half pitch (dense lines) en dan zit je buiten het bereik van de huidige technologie, het punt waar EUV lithografie in beeld komt.

Heb net het artikel even doorgescand... Die getallen in de t.net weergave ziet Samsung verrrrrr in de toekomst... Hrmzzz... een wat vertekende weergave van het persbericht van Samsung dus.... |:(
Ik meen gelezen te hebben dat IBM een paar maand geleden op de prototype Beta ASML XT:1700 FI in Albany New York een record gehaald van 29.9 nm. Aangezien IBM en Samsung samen werken zo het mij niet verbazen dat ze bij Samsung al meer weten wat er mogelijk is met de tools.

zie ook artikel : http://neasia.nikkeibp.com/neasiaarchivedetail/003819
At the recent International Society for Optical Engineering (SPIE) Microlithography 2006 conference in California, IBM Corp scientists said they have fabricated structures 29.9nm wide using 193nm, high-index optical immersion lithography. And the Rochester Institute of Technology (RIT) of New York presented a paper showing it had achieved optical imaging to 26nm using 193nm evanescent wave lithography (EWL).
Ik zou zoiets vooral graag zien om je OS mee op te laten starten.
Als dat PRAM geheugen er komt zou het mij niets verbazen als je Windows Vista op zo'n chip koopt zodat het OS zelf geen RAM meer nodig heeft en bijzonder snel laad/werkt.
Een soort OS-slot waar je Linux of Windows inschuift :)
Uit beveiligingsoogpunt zou het natuurlijk geweldig zijn om eenmalig beschrijfbaar geheugen te hebben tbv het besturingssysteem.
Het klinkt allemaal wel leuk, maar dan mis ik toch weer het belangrijkste, wat kost het?
Eem...het is een aankondiging van een nieuwe technologie? Waarom zou dat iets moeten kosten??
Een indicatie van de prijs t.o.v. bestaande technologien is toch wel vereist om een goed oordeel te kunnen vellen over deze technololie en zijn producten.

Wat mij persoonlijk aanspreekt zijn de hardeschijven met dit soort geheugen. Als aanvulling op bestaande schijven of compleet flashgeheugen.
Dat klopt natuurlijk niet. Om een oordeel over een nieuwe technologie te kunnen vellen doet de prijs er niets aan toe. Prijs is zelfs onzinnig want zoals alle nieuwe technologi"en daalt de prijs pas als er sprake is van massaproductie.
ik snap je punt digibilly, maar ben het toch niet helemaal met je eens.
als deze nieuwe techniek bijvoorbeeld zowizo duurder is om te maken, zelfs als er spraken is van massaproducite, dan is dat zeker belangrijk om te weten om een goed oordeel over deze technieken te kunnen vormen.
Darkprince ...

Harde schijven met dit geheugen... als ik de artikelschrijver mag geloven zal dat nogal moeilijk worden.

men spreekt namelijk van WORM-geheugen (write once, read many), dit kan je vergelijken met een CD-R of een DVD-R

je kan het 1 keer beschrijven en zeer veel keer terug uitlezen. voor solid state disks lijkt me dit niet zo handig, aangezien je de disk dan maar 1 keer kan beschrijven.
Dit ziet er erg leuk uit..! Betekend dit nou dat er meer gb's op een laptop schijf kan met chips dan dat er op een echt laptop schijf kan? En is dit dan ook sneller? of even snel? En hoe zit het met het steeds overschrijven van data? Want algemeen is bekend dat flash drives minder vaak beschreven kunnen worden dan harddisks. Natuurlijk gaan hier wel vele jaren gebruik aan vooraf.. Maar als dit de toekomst word betekend dat dan dat schijven om de zoveel jaar vervangen moeten worden.

En nog belangrijker is dit goedkoper om te maken?

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Apple iOS 10 Google Pixel Apple iPhone 7 Sony PlayStation VR AMD Radeon RX 480 4GB Battlefield 1 Google Android Nougat Watch Dogs 2

© 1998 - 2016 de Persgroep Online Services B.V. Tweakers vormt samen met o.a. Autotrack en Carsom.nl de Persgroep Online Services B.V. Hosting door True