Samsung heeft de eerste flashgeheugenchip op het 30nm-procedé geproduceerd. De nand-chip is voorzien van een opslagcapaciteit van 64 gigabit, vier keer zoveel als momenteel gebruikelijk.
Volgens Samsung betreft het 's werelds eerste 64Gb-nand-chips die op 30nm zijn gebakken. Naast deze 'multi-level cell'-chip heeft het Koreaanse bedrijf ook een 'single-level cell'-chip ontwikkeld met een opslagcapaciteit van 32Gb. Met het 64Gb-prototype gaat de nand-flashmarkt het achtste opeenvolgende jaar in waarin de geheugendichtheid verdubbelt. Sinds in 2001 de eerste 1Gb-chip op 100nm geproduceerd werd, is het productieprocédé elk jaar verkleind.
Door zestien van Samsungs nieuwe mlc-chips te combineren is een geheugenkaart te fabriceren met 128 gigabyte opslagruimte. Daarnaast zouden 1,8"-ssd's die voorzien zijn van 64 van de 30nm-chips over een opslagcapaciteit van 512GB kunnen beschikken, aldus Samsung. De grootste geheugenfabrikant ter wereld is van plan de 64Gb-chips in 2009 van de lopende band te laten rollen.
