Samsung Electronics heeft met succes de ontwikkeling van een 30nm-procedé voor de vervaardiging van ddr3-geheugen afgerond. De massaproductie van het zuinige geheugen zou in het derde kwartaal van start moeten gaan.
Samples van het ddr3-geheugen zijn al naar afnemers gestuurd en de evaluatie van het geheugen is inmiddels afgerond; in het derde kwartaal zal Samsung het 30nm-geheugen in massaproductie nemen. Volgens het Zuid-Koreaanse bedrijf zijn de yields bij de productie van dit 30nm-geheugen tot zestig procent hoger dan wanneer 40nm-wafers geproduceerd worden. Vergeleken met 50nm- of 60nm-geheugen zouden de productiekosten de helft bedragen.
In eerste instantie zal Samsung het 30nm-proces gebruiken om 2Gb-modules te produceren, wat ddr3-laptopmodules van 2GB oplevert. Het bedrijf zegt in een later stadium ook chips met capaciteiten van 1Gb tot 4Gb te zullen produceren. De 2GB-sodimm's vergen een spanning van 1,35V, waarbij het opgenomen vermogen volgens Samsung minder dan 1,36W bedraagt. Een 50nm-module van 2GB zou volgens de metingen van het bedrijf 1,96W verbruiken. Behalve voor laptop-geheugenmodules zullen de 30nm-chips ook voor server- en desktopmodules geproduceerd worden, waarbij de spanningsbehoefte 1,35V of 1,5V zal bedragen.
