Samsung is erin geslaagd om multi-die nand-flashgeheugen te ontwikkelen dat slechts 0,6mm dik is: 40 procent dunner dan voorheen. Het nieuwe nand-package, met een capaciteit van 32GB, is opgebouwd uit acht 30nm-geheugen-dies.
Om de geheugenchips zo dun te kunnen maken, heeft Samsung gebruikgemaakt van een 30nm-procedé. Hierdoor zijn de afzonderlijke 32Gb-nand-flashdies slechts 15 micrometer dik. Om de acht dies zo dicht op elkaar te pakken heeft Samsung ook nieuwe package-technologie ontwikkeld. Deze kan tevens worden aangepast voor gebruik in huidige mcp's, zogeheten system in packages en packages on packages.
Het nieuwe flashgeheugen is niet alleen dunner, maar ook lichter. Volgens Samsung maakt de nieuwe geheugenchip het mogelijk om meer geheugen in mobieltjes of mobiele elektronica te stoppen, maar de fabrikant kan er ook voor kiezen om deze met met behoud van de geheugencapaciteit dunner te maken.