Samsung en Toshiba werken samen aan de ontwikkeling van een standaard om de interface van nand-flashgeheugen te versnellen. De huidige interface maakt gebruik van een single data rate; de bedrijven willen een ddr-standaard ontwikkelen.
Volgens een marketingtopman van Samsung en een technische topman van Toshiba zouden de interfaces van nand-geheugen in de nabije toekomst een bottleneck vormen voor de prestaties van het flashgeheugen. Het merendeel van de chips wordt aangesproken via een single data rate-, of sdr-interface. De bandbreedte daarvan bedraagt 40Mbit per seconde. Een ddr-interface, die over de fysieke sdr-interface loopt, is beschikbaar, maar blijft steken op 133Mbps. Beide bedrijven willen een standaard ontwerpen die snelheden tot 400Mbps mogelijk maakt, zo meldt The Register.
De nieuwe ddr-interface moet leiden tot nieuwer, sneller en gestandaardiseerd ddr-nand-geheugen. Samsung en Toshiba werken via standaardenorganisatie Jedec samen om die interface te ontwikkelen. De standaard zou toggle ddr 2.0 nand-geheugen heten en asynchroon gebruikmaken van de bus. Volgens beide bedrijven kan het ddr 2.0-nandgeheugen al snel in mobiele apparaten als smartphones of tablets worden toegepast. Voordat het ook in solid state drives een standaard kan worden, zou medewerking van nand-fabrikanten als Intel en Micron noodzakelijk zijn.