Samsung heeft geheugenchips ontwikkeld voor gebruik in mobiele apparatuur, die een hoge bandbreedte moeten combineren met een laag energieverbruik. Het Zuid-Koreaanse bedrijf maakt het geheugen volgens een 5x-nanometerprocedé.
De exacte zogeheten 'procesnode' waarop Samsung zijn nieuwste geheugen produceert, is niet bekend. Samsung spreekt van een '50nm-class-procedé' in plaats van een exact procedé te melden. Het geheugen heeft een bandbreedte van 12,8GB/s, waarmee het over achtmaal zoveel bandbreedte beschikt als normale mobiele dram-chips. Dat geheugen is voorzien van 32 pinnen voor data-overdracht, terwijl het nieuwe geheugen 512 pinnetjes heeft om zijn bandbreedte te halen. Een ander type geheugen dat Samsung voor mobiele toepassingen ontwikkelde, lpddr2-geheugen, heeft met 3,2GB/s een kwart van de bandbreedte.
Samsung produceert zijn nieuwe geheugen in chips van 1Gb of 128MB. De chips moeten gebruikt gaan worden in nieuwe generaties mobiele apparatuur, zoals smartphones en tablets. Het moet dan gaan om apparatuur die kan profiteren van de verbeterde prestaties van het geheugen die door de extra bandbreedte mogelijk worden. Het geheugen presteert niet alleen beter, maar is tevens zuiniger dan het huidige mobiele geheugen; volgens Samsung vergt het geheugen 87 procent minder energie. Samsung beoogt de capaciteit van de chips te vergroten, terwijl het bedrijf het productieprocedé wil verkleinen. Voor 2013 staan 2x nanometerchips met een capaciteit van 4Gb in de planning.
