Samsung gaat Onenand-geheugenchips in capaciteiten van 8Gbit leveren. De opslagchips worden volgens een 3x-nanometerprocedé geproduceerd en zijn bedoeld als opslagmedium voor smartphones.
De nieuwe geheugenchips betekenen een verkleining van het productieprocedé; eerdere chips van Samsung werden volgens een 4x-nanometerprocedé gefabriceerd. De Onenand-modules van Samsung worden in mobiele telefoons als opslagmedium gebruikt. Deze chips hebben dan ook een slc-architectuur, die het mogelijk maakt om gegevens met 70MB/s te lezen; Samsung vermeldt de schrijfsnelheid niet. Wel claimt de fabrikant een snelheidswinst van een factor vier vergeleken met conventioneel nand-geheugen, dat het bij 17MB/s zou houden.
De modules werken op een ongespecificeerde, lage spanning en gedragen zich als nand- en als nor-geheugen. Nand-eigenschappen zijn handig om data weg te schrijven, terwijl de nor-interface het geheugen voor ram-toepassingen geschikt maakt. De 1GB-modules moeten hun weg vinden naar high-end smartphones, die met hun hoge-resolutie-touchscreens en snelle processors veel data genereren. Samsung maakte niet bekend wat de modules kosten en of ze goedkoper dan de 4x-chips worden. De samples van het geheugen zijn per direct verkrijgbaar; massaproducuctie volgt later deze maand.
