Samsung heeft aangegeven de massaproductie van zijn 3bit-multi level cell-geheugen te zijn gestart. Het geheugen wordt op 30nm geproduceerd en zal gecombineerd worden met Samsungs eigen 3bits-geheugencontrollers.
Het nieuwe nand-flash-geheugen biedt logischerwijs 50 procent meer opslagruimte dan het gebruikelijke 2bit-mlc-geheugen. Hierdoor zal het nieuwe geheugen ook voor een prijsdaling van bepaalde producten gaan zorgen. Het eerste product op basis van het nieuwe mlc-geheugen wordt een micro-sd-kaart met een opslagcapaciteit van 8GB. Het geheugen kan echter ook voor usb-flashdrives ingezet worden.
Samsung is ook begonnen met de massaproductie van op 30nm geproduceerde mlc-geheugenchips met een opslagcapaciteit van 32Gb die gebruik maken van een ddr-interface. Dit geheugen zou leessnelheden halen van 133MBps, wat drie keer zo snel is als het oude geheugen, dat van een sdr-interface voorzien is. De schrijfsnelheid zou op 60MBps liggen, en ook dat is drie keer zo snel als de schrijfsnelheid van de oudere geheugenchips, die op gemiddeld 17MBps bleef steken. Samsung zou de eerste chips reeds uitgeleverd hebben.

