Samsung heeft een ddr3-geheugenchip met een capaciteit van vier gigabit ontwikkeld. Daarmee wordt het mogelijk om geheugenreepjes van 8GB te produceren. De Koreaanse fabrikant maakt de chips met 50nm-procestechnologie.
Met Samsungs nieuwe 4Gb-chips wordt het onder andere mogelijk om 8GB ddr3-geheugen op een enkele sodimm te plaatsen. Momenteel ligt het maximum voor dergelijke geheugenreepjes nog op 4GB. Ook voor desktops liggen 8GB-ddr3-reepjes in het verschiet en voor de servermarkt zou zelfs al aan registered dimms met een capaciteit van 16GB gewerkt worden. Met dual-die-technologie zou er zelfs een maximum van 32GB op een enkel geheugenreepje passen.
Het nieuwe geheugen heeft volgens de fabrikant een maximumsnelheid van 1,6Gbps, die bij 1,35V behaald wordt. Op de standaardspanning van 1,35V zou het geheugen 20 procent sneller zijn dan regulier ddr3-ram dat op de standaardspanning van 1,5V werkt. Door de lagere voedingsspanning en het 50nm-productieprocedé zouden de nieuwe ddr3-modules tot maximaal 40 procent minder energie verbruiken dan eenzelfde hoeveelheid ddr3-geheugen dat met oudere technologie is gemaakt. Samsung heeft nog niet bekendgemaakt wanneer de massaproductie van de nieuwe chips start.