Onderzoekers van de Universiteit van Cambridge hebben een nieuwe, goedkope manier ontwikkeld om galliumnitride te maken. De methode kan de productiekosten van energiezuinige led-verlichting met 90 procent terugdringen.
Galliumnitride kan worden gebruikt voor het maken van leds met een hoge lichtproductie en een erg laag verbruik. Door de hoge productiekosten van deze halfgeleider heeft GaN-led-verlichting echter nog niet op grote schaal zijn weg naar huishoudens en kantoren gevonden. Momenteel kunnen galliumnitride-kristallen alleen worden geproduceerd door ze te laten groeien op wafers van saffier met een diameter van 2 inch.
Wetenschappers van de Cambridge University Centre for Gallium Nitride zijn er nu echter in geslaagd GaN-kristallen te laten groeien op 6"-siliciumwafers. De productiekosten van siliciumwafers zijn veel lager dan die van saffierwafers, terwijl de verwerkingskosten vrijwel gelijk zijn. Bovendien is de uitval bij de productie van de leds veel lager. Gevolg is dat de GaN-leds voor een tiende van de huidige productiekosten kunnen worden gemaakt.
De Britse onderzoekers berekenden dat een massaal gebruik van GaN-leds het deel van de elektriciteit dat in het Verenigd Koninkrijk voor verlichting gebruikt wordt, kan verlagen van twintig procent tot vijf procent. GaN-leds kunnen 100.000 uur onafgebroken branden en hoeven pas na 60 jaar vervangen te worden. Bovendien bevatten ze geen giftig kwik, zoals spaarlampen, zodat ze in hun afdankfase geen problemen opleveren.