Samsung is begonnen met de massaproductie van nand-flash-geheugen met 3bits per cell en met een capaciteit van 64Gb op een niet nader aangeduid 20nm class-procedé. Dit maakt snellere en goedkopere geheugenkaarten mogelijk.
Het 64Gb-geheugen maakt chips van 8GB mogelijk en gaat het 32Gb-geheugen, dat voor 4GB-chips wordt gebruikt, vervangen. Samsung kan het geheugen voorzien van zijn Toggle DDR 1.0-interface, dat een hogere bandbreedte mogelijk maakt dan wanneer van de standaard-single data rate-interface gebruik wordt gemaakt. Het geheugen zal worden gebruikt voor sd-kaarten en usb-drives, maar ook voor mobiele telefoons.
Niet bekend is met welk productieprocedé de fabrikant uit Korea het geheugen maakt. Net als bij eerdere aankondigingen spreekt het bedrijf van 20nm class, waarmee de featuresize tussen 20 en 30nm kan liggen. Mogelijk probeert Samsung hiermee te verdoezelen dat het achterloopt bij concurrenten als Sandisk-Toshiba, IM Flash Technologies en Hynix, die flash al op respectievelijk 24nm, 25nm en 26nm claimen te produceren, schrijft EeTimes. Ook mogelijk is dat op dergelijke schaal de feature-lengtes variabel beginnen te worden en er niet langer van een vast procedé kan worden gesproken.