Het Japanse halfgeleiderbedrijf Toshiba is van start gegaan met de massaproductie van nand-flashgeheugen met een featuresize van 24nm. Het kleinere productieprocedé zou goedkopere opslag in de hand moeten werken.
De halfgeleiderdivisie van Toshiba is begonnen met de productie van 24nm-multilevel-cellgeheugen met twee bits per geheugencel. De geheugendichtheid van de chips zal aanvankelijk 64Gb bedragen, goed voor chips met een opslagcapaciteit van 8GB. In een later stadium gaat het bedrijf ook mlc-geheugen met drie bits per cel produceren op 24nm. Die chips zouden aanvankelijk in capaciteiten van 32Gb worden geproduceerd.
Het geheugen van Toshiba maakt gebruik van Toggle-ddr-technologie, wat de datasnelheden moet verhogen. Toshiba's 24nm-geheugenchips zullen worden gebruikt in onder meer solid state drives en als opslagmedium in smartphones en tablets. De reductie in het productieprocedé van 32nm en groter naar 24nm moet het geheugen goedkoper maken en grotere capaciteiten in kleinere chips mogelijk maken.
