Samsung is begonnen met de productie van nand-flashgeheugen dat gebruikmaakt van een toggle-ddr2-interface. De nieuwe interface is volgens het bedrijf drie keer sneller dan zijn voorganger, waardoor snelheden tot 400Mbps mogelijk worden.
De mlc-chips hebben een capaciteit van 64Gbit en worden geproduceerd met een '20nm class'-procedé, aldus Samsung. Welk proces daarmee precies wordt bedoeld, is niet duidelijk. Mogelijk gebruikt Samsung de aanduiding om te verhullen dat het achterloopt op de concurrentie, mogelijk ook wordt de term '20nm class' gebruikt omdat metingen aan deze featuregrootte niet nauwkeurig genoeg zijn voor een exacte waarde.
Met maximumsnelheden van 400Mbps is de toggle ddr2-interface volgens Samsung drie keer sneller dan de voorgaande ddr1-variant en tien keer sneller dan de sdr-chips die momenteel nog geregeld worden ingezet. Het geheugen kan in verschillende producten worden ingezet, maar Samsung ziet vooral kansen voor mobiele apparaten en ssd's.