Samsung heeft solid state drives met een maximale capaciteit van 512GB uitgebracht. De ssd's maken gebruik van nand-geheugen dat door het Koreaanse bedrijf werd ontwikkeld en dat werkt op basis van een double data rate-technologie.
De ddr-technologie, die Samsung al in december 2008 uit de doeken deed, behelst een double data rate-techniek die tot snellere data-overdrachtssnelheden moet leiden. Daarmee zouden leessnelheden ruim kunnen worden verdubbeld en ook schrijfsnelheden zouden vijftig procent hoger komen te liggen. Samsung heeft de techniek, waarmee twee bits per klokcyclus worden geschreven of gelezen, toggle-mode genoemd. De controller kan de nand-chips namelijk ook met de gebruikelijke één bit per klokcyclus aansturen. De sdr-modus ligt naar alle waarschijnlijkheid ten grondslag aan de energiezuinige modus die Samsung belooft. Vanaf eind 2009 begon Samsung met de levering van zijn ddr-nand-chips aan oem's.
De 'toggle-mode'-ddr-nand-chips worden op een 30- tot 39nm-procedé geproduceerd; Samsung houdt angstvallig geheim op welke procestechnologie het zijn chips exact bakt. Wel wil het bedrijf kwijt dat het zijn solid state drives met 32Gb-chips vult en dat het zijn eigen controller en firmware in de ssd's toepast. De ssd's krijgen een sata-300-interface, ondersteuning voor 256bit-aes-encryptie en de sequentiële overdrachtssnelheden bedragen 250MB/s voor lezen en 220MB/s voor schrijven. De nieuwe solid state drives, met een capaciteit van 512GB, worden vanaf juli in massaproductie genomen.
