SanDisk heeft, samen met Toshiba, geheugenchips voor flashgeheugen ontwikkeld dat op 19nm wordt geproduceerd. De nand-chips met drie bits per geheugencel voor onder meer solid state drives hebben een capaciteit van 128 gigabit, ofwel 16GB.
De 19nm-chips die SanDisk en Toshiba gezamenlijk weten te produceren zijn slechts 170 vierkante millimeter groot. Toch kan daarop 128Gb, of 16GB, aan data weggeschreven worden. De kleine featuresize van het mlc-geheugen draagt daar uiteraard aan bij, maar SanDisk perst drie bits in elke geheugencel, een techniek die het X3-techniek noemt. Dergelijk triple-level-cell-geheugen is over het algemeen wat minder betrouwbaar dan mlc-geheugen met twee bits per cel, maar daarover spreekt SanDisk niet.
Een van de voordelen van het kunnen produceren van nand-chips met een opslagcapaciteit van 128Gb is de vereenvoudigde packaging. Normaal worden verschillende chips opeengestapeld om tot voldoende capaciteit binnen een bepaalde afmeting te komen, maar de 128Gb-chips kunnen enkellaags gebruikt worden. Dat verlaagt de productiekosten van producten met het geheugen aan boord. Volgens SanDisk laten de nieuwe 19nm-chips schrijfsnelheden tot 18MB per seconde toe. De massaproductie ervan is al begonnen, net als de massaproductie van een 64Gb-variant, die voor micro-sd-kaartjes werd ontwikkeld.