Geheugenfabrikant Samsung Electronics is van start gegaan met de massaproductie van op 50nm gebakken gddr5-geheugen. De snelle geheugenvariant voor grafische toepassingen wordt in chips van 128MB geproduceerd.
Samsung vergelijkt de prestaties van zijn 50nm-gddr5 met die van een voorgaande generatie grafisch geheugen, gddr4. Daarmee vergeleken zouden de chips een stuk zuiniger zijn: het gddr4-geheugen vergt een spanning van 1,8V, terwijl Samsungs nieuwe gddr5-geheugen slechts 1,35V nodig heeft. Tevens zou het nieuwe geheugen een doorvoersnelheid van 7Gbps mogelijk maken, wat ten opzichte van de gddr4-chips een verhoging van de bandbreedte van 12,8GBps naar 28GBps zou betekenen.
Samsung produceert het 50nm-geheugen in chips van 128MB, die verkrijgbaar zijn in 32Mbx32- of 64Mbx16-configuraties. Het Zuid-Koreaanse bedrijf zal in de loop van het jaar zijn volledige assortiment grafisch geheugen volgens het 50nm-productieproces vervaardigen.
Het gddr5-geheugen zal vooral toepassing krijgen als grafisch geheugen in computers, videokaarten en spelconsoles. Het voordeel van het snellere geheugen is de timing: lees- en schrijfoperaties hoeven niet op een gesynchroniseerd kloksignaal te wachten. De meest bekende toepassing van gddr5 is die in high-end videokaarten van ATI, zoals de Radeon HD 4870-kaarten. Samsung verwacht dat de vraag naar gddr5-geheugen dit jaar ongeveer twintig procent zal toenemen.
