Samsung is begonnen met de productie van energiezuinig ddr3-geheugen met een capaciteit van 2GB. De voor mobiele apparatuur bedoelde chips worden volgens een '30 nanometer class'-procedé gebakken en zijn sneller dan lpddr2-chips.
Het nieuwe Samsung-geheugen moet de vorige generatie energiezuinig geheugen, oftewel lpddr2-chips, opvolgen. Samsung produceerde in oktober vorig jaar de eerste lpddr2-chips op 3x nanometer, maar het bedrijf wil met de lpddr3-chips aan de toenemende vraag voor snel geheugen voldoen. De lpddr3-chips zouden nodig zijn voor de steeds snellere processors of socs die in smartphones en tablets gebruikt worden.
Samsung kondigt niet aan op welk procedé zijn geheugenproducten precies gemaakt worden; het spreekt altijd van een 'class'; de 30nm-class-chips hebben featuresizes tussen de 30 en 39 nanometer.
Vergeleken met de lpddr2-chips moet de nieuwe generatie lpddr3-chips vijftig procent sneller presteren en snelheden tot 1600Mbps halen. Aangezien Samsung de lpddr3-chips uit vier opeengestapelde 4Gb-chips tot een package combineert, moeten overdrachtssnelheden naar het geheugen met 12,8GB/s mogelijk zijn. De chips hebben een werkspanning van 1,2V en een zeer laag stand-by-verbruik. De nieuwe low-power-ddr3-chips zouden Samsungs portfolio voor smartphones en tablets completeren; het bedrijf kondigde eerder flash-opslag voor mobiele apparaten aan.