Samsung is begonnen met de productie van ddr3-geheugen van 3GB voor smartphones en mobiele apparaten. Voor het dram maakt Samsung gebruik van 20nm-class 4Gb-lpddr3-chips, die aanzienlijk sneller werken dan 30nm-class lpddr3-chips en daarbij ook energiezuiniger zijn.
Het lpddr3-geheugen in de 20nm-class heeft een maximale doorvoersnelheid van 2133Mbit/s. Daarmee is het een stuk sneller dan de huidige generatie lpddr3, dat een maximale doorvoersnelheid heeft van 1600Mbit/s. Bij lpddr2 bedroeg dit nog slechts 800Mbit/s. Samsung heeft niet bekendgemaakt op welk procédé de chips precies gebakken worden. Het bedrijf deelt de chips in een class in, wat voor dit geheugen inhoudt dat de featuresize tussen de 20 en 29nm ligt.
Om aan de 3GB te komen gebruikt Samsung zes lpddr3-chips van 4Gb; de totale hoogte van de package komt neer op 0,8mm. Een topman van Samsung zegt dat het 3GB-geheugen toegepast zal worden in high-end smartphones in de tweede helft van dit jaar. Mogelijk zal het geheugen bijvoorbeeld gebruikt worden voor de Galaxy Note III, waarvan de aankondiging begin september tijdens de IFA-beurs in Berlijn verwacht wordt. Tegen het eind van dit jaar wil het bedrijf met beter 3GB-lpddr3 op de markt komen, opgebouwd uit vier 6Gb-lpddr3-chips. Zo kunnen twee op elkaar gestapelde chips symmetrisch naast elkaar geplaatst worden, waardoor de prestaties toenemen.