Hynix start begin volgend jaar de massaproductie van 6Gb lpddr3 op een 2xnm-procedé. De geheugenchips moeten hun weg gaan vinden naar 3GB-modules voor high-end smartphones en -tablets. Nu bevatten de meeste mobiele apparaten nog maximaal 2GB lpddr3.
Het geheugen werkt op 1866MHz en kan via zijn 32bit-interface in single channel 7,4GB/s en in dual channel dus 14,8GB/s verwerken. Het gaat om 6Gb lpddr3 die per vier op een module geplaatst kunnen worden voor een totale capaciteit van 3GB.
Hynix maakt al 4Gb lpddr3 en ook Samsung kondigde eind juli aan lpddr3 op 2xnm te produceren. Die chips zijn inmiddels in een 3GB-package in de Galaxy Note III te vinden. Samsung heeft hier echter zes 4Gb-chips nodig en zal eind dit jaar de massaproductie van 6Gb lpddr3 starten. Het voordeel van de 6Gb-chips is de kleinere afmetingen en de energiezuinigheid: volgens Hynix zijn de chips 30 procent zuiniger in standby-modus dan zijn 4Gb-chips.