De Japanse geheugenfabrikant Elpida heeft, naar eigen zeggen als eerste producent ter wereld, high-K metal gate-technologie ingezet voor zijn mobiele ddr2-geheugen. Dat moet leiden tot zuiniger geheugen voor mobiele toepassingen.
Elpida heeft de hkmg-techniek voor low power ddr2-modules gebruikt. Dat geheugen wordt volgens een relatief fors 4x nanometer-procedé vervaardigd. In de toekomst wil de Japanse fabrikant het hkmg-procedé ook voor geheugen met kleinere featuresizes inzetten; een prognose wanneer dit moet gebeuren gaf het bedrijf echter niet. Wel maakte het bekend nog dit fiscale jaar, dat nog tot april 2012 loopt, samples te willen leveren.
Voor het lpddr2-geheugen slaagde Elpida erin de voor de hkmg-inzet benodigde hoge temperaturen voldoende te verlagen om compatibel te zijn met de geheugenproductie. Dat heeft geleid tot een effectieve afname van dertig procent van de isolatielaag van de gates. De stroom door de transistors kan daarbij 1,7 maal hoger zijn, terwijl de stroom in uitgeschakelde staat slechts een honderdste van die bij een siliciumdioxide-diëlectrum is.
De hkmg-techniek is vooral bekend uit de processorindustrie. Het high k-materiaal is een isolator met hoge diëlektrische constante en moet onder meer lagere lekstromen opleveren. Het materiaal wordt in een dunne laag op de gate van een transistor aangebracht. Het metal gate-deel van de hkmg-techniek slaat op de metalen elektrodes die gebruikt worden.