De Japanse geheugenfabrikant Elpida heeft zijn eerste modules met resistief geheugen, ofwel reram, ontwikkeld. De prototypes hebben nog een geringe capaciteit, maar het bedrijf wil volgend jaar bruikbare modules op de markt brengen.
Het prototype resistief geheugen van Elpida heeft een capaciteit van slechts 64Mb en werd op 50nm geproduceerd. Het Japanse bedrijf is echter van plan om het nieuwe geheugentype in rap tempo verder te ontwikkelen en verwacht in 2013 bruikbare chips met een capaciteit van 8Gb te ontwikkelen. Een jaar later zou de techniek klaar zijn voor massaproductie en moeten chips voor commerciële doeleinden worden geproduceerd.
Het resisitief geheugen dat door Elpida wordt ontwikkeld en waaraan ook onder meer Samsung en Sharp werken, is een non-volatiel geheugen. Er is dus geen spanning nodig om de inhoud van het geheugen vast te houden, zoals bij werkgeheugen. Het reram wordt geproduceerd op basis van halfgeleider hafnium en heeft een leessnelheid van ongeveer 20ns. De productie kan plaatsvinden op dezelfde productielijnen als dram.
Resistief ram moet volgens Elpida in tablets of smartphones een rol vervullen die zit tussen de rol van het snellere dram-geheugen en die van het tragere flashgeheugen. Op den duur zou het zelfs dram moeten vervangen en draagbare apparaten op die manier zuiniger maken. Op kortere termijn zou reram als cache in ssd's ingezet kunnen worden.