Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , 14 reacties

ARM heeft geld gestoken in Symetrix, een bedrijf dat onderzoek doet naar correlated-electron ram, een relatief nieuw type niet-vluchtig geheugen. Ceram zou verder verkleind kunnen worden dan de huidige soorten flashgeheugen.

CeramCeram kan volgens Symetrix een goede opvolger zijn van de huidige nand-flashgeheugentechnologie die niet verder verkleind zou kunnen worden dan tot een 20nm-procedé. De Ceram-technologie, een verbeterd ontwerp ten opzichte van het moeilijk te fabriceren reram, zou schaalbaar zijn tot 5nm, zo stellen de makers. Ook zou de ceram-geheugentechnologie in socs geïntegreerd kunnen worden.

ARM heeft interesse in de ceram-technologie en heeft volgens de website Electronics360 besloten om geld te investeren in Symetrix. Onduidelijk is nog hoe hoog het bedrag is, maar ARM zou belangstelling hebben om de technologie op termijn mogelijk in licentie te nemen.

Tot nu toe heeft ARM zich vooral gericht op processortechnologie. Het bedrijf geeft zijn chipontwerpen in licentie uit aan fabrikanten. ARM-chips zijn vooral populair in mobieltjes en tablets dankzij het relatief geringe stroomverbruik.

Lees meer over

Moderatie-faq Wijzig weergave

Reacties (14)

Het plaatje ziet eruit als een electron orbitaal en als ik de uitleg op hun eigen site lees, dan lijkt het erop dat ze inderdaad iets doen met het verplaatsen van electronen van de ene schil naar de andere... ofzo...!? Normaal ben ik best goed in scheikunde, maar dit gaat mijn pet te boven (of hun eigen uitleg is slecht geschreven). Is er hier iemand die er wel wijs uit kan worden en het aan "de rest van ons" uit kan leggen? Ja, ik heb al gezocht op het Internet, maar zowel Google als Wikipedia laten me even in de steek.

@BenGenaaid:
Die link had ik al gevonden... da's waar het eerste woord van het artikel ook naar linkt. :) Daar werd ik in elk geval niet veel wijzer van.

[Reactie gewijzigd door robvanwijk op 2 februari 2014 18:10]

http://www.symetrixcorp.com/?page_id=9

Google is not your friend, duckduckgo is :+

Net als de pdf waar jij naar linkt lijkt mij de uitleg toch duidelijk van hun site, of ben ik te voorbarig?

Zodra ik ff tijd heb zal ik deze post aanvullen met de uitleg..... kinders vragen zeer hevig om aandacht :X

Zoals je zelf al zei, er wordt een electron uit de ene schil verplaatst naar een andere schil waardoor er een geleidende of niet geleidende toestand van het molecuul wordt gecreerd. Zoals ik het lees is, zijn beide electron configuratie toestanden erg stabiel en lenen zich tot snelle mutaties.

@robvanwijk.... overheen gelezen (die link)...maar opmerking over de zoekmachine blijft relevant ;)

edit: nog een aanvulling n.a.v. Gschiet: het gaat hier niet om een plaats bepaling die te meten is, als je de plek van een electron precies wil weten, moet je lang meten, in de quantum mechanica is of de plaats, of het tijdstip goed te bepalen en beide zijn omgekeerd evenredig aan elkaar (in pricipe), m.a.w. als je het tijdstip weet, is de plaats onzeker en vice versa... dit is het onzekerheids beginsel uit de quantum mechanica.

Hier gaat het dus duidelijk vermeld, om het molucuul Nickel Oxide (NiO), dat een verandering van geleidings eigenschappen ondergaat, naar aanleiding van een verandering in toestand van het energie niveau van 1 van de electronen in de d3 schil, zodat deze in de d4 schil terecht komt. De verschillende niveaus van geleiding worden gebruikt voor het defineren van een 1 of een 0.

Da's het principe....althans zoals ik het lees.. ;)

[Reactie gewijzigd door BenGenaaid op 2 februari 2014 19:53]

Aanvulling:

Wat CeRAM behelst, is een halfgeleider, zet men er 1.2 Volt over wordt deze geleidend (schrijven van een 1), zet men er 0,6 Volt over dan wordt deze (weer?) isolerend (schrijven van een 0). Zet je er 0,2 Volt potentiaalverschil erover, wordt deze geleid (lezen van 1) of niet (0 lezen).

De klassieke bandentheorie voorspelt of bepaalde materialen geleidend dan wel isolerend zijn, maar de twee Nederlanders de Boer en Verwey ontdekten in de 20e eeuw dat deze theorie in sommige gevallen niet klopt. Deze theorie gaat er namelijk vanuit dat electronen geen interactie hebben, maar dat hebben ze wel: De ladingen stoten elkaar af. Vandaar dat bepaalde materialen die geleidend moesten zijn volgens de klassieke theorie in de praktijk isolerend bleken te zijn. De electroneninteractie zorgt voor "Ce" in CeRam: Correlated Electrons.

Meneer Nevill Mott kwam daardoor halverwege de 20e eeuw met een verbeterde theorie: Door de interactie tussen electronen kon de banenstructuur veranderen, een baan zou daarom in tweeen kunnen splitsen. Dit alles kon veroorzaakt worden door een drukverandering, temperatuurverandering of vervuiling van het rooster.

Nou is drukverandering in een computerchip moeilijk te bewerkstelligen en temperatuurverandering niet zo praktisch, maar ene meneer Bose en meneer Seishu vonden rond 1986 uit hoe druk viel te emuleren door doping, want dat levert weer interne materiaalspanningen op.

Professor Araujo beweert dat hij dit proces kan beheersen, inpassen in de huidige industriele processen en toepasbaar maken voor geheugen.

Zie o.a. mott insulator en metal insulator transition op Wikipedia, of http://budker.berkeley.ed...%20Robert%20Tang-Kong.pdf
Excellent Sir. de Boer and Verwey are heroes indeed. They proved in 1937 that Wilson-Bloch theory did not cover transition metal oxides. Mott later on discovered a way to explain this by showing that if the distance between atoms was at the order of a Bohr radius, the overlap of the electron wave functions would make the electrons hopp from site to site and create conduction. This is like looking at a gas of atoms of Ni (O does not influence to much the d orbitals) and see that it is insulating, and bringing the atoms to a condensed phase, it is a metal. Now, isostatic pressure can do this. In some materials, the jahn-Teller effect (structural deformations) can do the same with temperature. What we have achieved is to carefully make the material stoichiometric and thus we are able to create a "disproportionation" reaction of Ni(+2) to Ni(+1) and Ni)+3). These three species get to be very distorted if the stochiometry is not right. In the case of creating filaments, the enormous number of defects such as Oxygen vacancies create Ni(0) and Ni(+3) but no Ni(+1). So, the Ni(+1), which is the upper energy level of the gap is not present and only metallic Nickel Ni(0) dominates. Thus, for filaments, it is a matter of a metal streak that by electrochemical means connect or disconnect filaments to the electrodes or to each other. For more than 12 years, scientists worldwide have come up with this system as a good MEmory. Thus, the natural switch caused by the gap/no gap switch due to the disproportionation and electron density driven degenerate pressure, was largely ignored. With the experimental fact that the very first devices made with a carbon based precursor more than 5 years ago, we sought to go deeper in the physics before saying anything. Soon we will publish more papers to go deeper than the phenomenology of current papers that we put out. It is our responsibility to be first engineers - i.e. we want jobs and economic benefits, and then educators: to show good science. It is a new world for professors too.
Edit na post van BenGenaaid: onzekerheidsrelatie van Heisenberg wordt het ook wel genoemd ;) . ik kon niet veel opbrengen uit de pdf, om eerlijk te zijn ook niet goed naar gekeken. bedankt voor de uitleg! _/-\o_ . Bron: http://nl.wikipedia.org/w...idsrelatie_van_Heisenberg

[Reactie gewijzigd door Gschiet op 2 februari 2014 20:06]

Gentlemen, I am glad to let you know that the phenomenon of CeRAM is achieved by a technological step and real physics. The technological step is the Ligand Substitution in defect sites of lost oxygen by a carbonyl complex. In coordination chemistry, NiO is in octahedral coordination. In ultra thin films it is nearly impossible to keep stoichiometry in a TMO, and this is what happens with the standard filament based RRAMs. In our case, the coordination sphere is upheld by the pi bond of the carbonyl and donation of two electrons to Ni ions in two sites connected by an oxygen vacancy. Thus, the Ni oxidation number is restored to its stoichiometric value. In stoichiometric NiO, the insulating state is the normal ground state as Mott, following the 1937 paper by de Voer et al disclosed. NiO should be a conductor if independent electron based Wilson- Bloch band theory is followed. But the coulombic interaction causes a gap to appear. Technically this is a charge transfer insulator, but "Mott insulator" will do. Well then, by Many Body theory, using the simple narrow band Hubbard I model (1963) we can simply use the mesoscopic thickness of these devices to create an elegant isolated 10 nm "many body phase" isolated region. This allows electrodes besides platinum to be used - a must in below 65 nm design rules. Now, with fine AFM we can make this device in - plane and make it very small, say 5x5 nm2. In this manner we have a new type of switch in the speed of a quantum phase transition, that is tens of femtoseconds. More on this in the near future. Now the effect of pressure is certainly part of this, but not applied pressure. Instead, the relationship of pressure to electron density, known as degeneracy pressure, described first by Dyson's, is where the pressure equivalency to electron density compressibility (1/bulk modulus) comes in. This is truly a quantum phenomenon.It comes from the fact that as quantum objects, compressed electron gas cannot have the same energy, and thus the momentum is increased due to Pauli exclusion and Heisemberg's uncertainty principle. In any case, we clearly see that at the tunneling current just right to be similar to 240 GPa of pressure, the material becomes metal like. In filament based devices the electromigration of nickel ions occurs due to lack of stoichiometry. Here, the QPT occurs before this kind of breakdown occurs. To do the reverse, anode hole injection sweeps out just enough electrons to restore the insulating ground state. Thus, a reversible phase transition occurs even at near zero temperature( see data in web site from 4K to 150 C of operating IV curves - QPT occurs at T=0). Yes, this is elegant and it clearly shows resistive hysteresis (again see in our web site the R vs. squareroot of Voltage diagram with 2 resistive states near v=0). For your knowledge only in 2012 a National lab in the US could show applied pressures of 240 GPa could make NiO a metal. Now with this quantum switch new device based on electron- electron interaction is demonstrated and understood with the beautiful physics of many body theory. I thank all those who for 50 years since Hubbard developed Many body theory and Mesoscopic Transport, like the Meir-Wingreen formula for the basic material to analyse the device physics. I also thank all the chemist that developed Coordination chemistry and ligand theory. Now it is time for many questions, hopefully the literature and conferences will do this job. We had to work in stealth mode for a long time as the many experiments, simulations etc. had to be done with a patent strategy that could win over the overwhelming stuff on filaments and some pseudo science like memristors.
Three things:
  • Admittedly, I do not fully understand your explanation; it sure sounds interesting, but I'm way out of my league to judge its merits. Then again, if you've convinced ARM to invest money, I'm willing to believe the theory is sound and the practice (at the very least) promising.
  • "Now, with fine AFM we can make this device in - plane and make it very small, say 5x5 nm2."
    This I don't understand; if manufacturing of each device requires an AFM you are referring to an Atomic Force Microscope, right? (to the best of my understanding, that's a one-at-a-time process), you are not capable of volume production. If that is correct... you have a huge challenge left, to say the least!
  • "pseudo science like memristors"
    I do not have an informed decision regarding the practical applicability of memristors; for all I know they may never find their way into actual products. However, even if that is the case, that does not make them "pseudo science" at all; I have yet to find a consumer product using super conduction, but (as, among other examples, the LHC and ITER show), the science behind them is very real.
    Sorry to say it, but making such unfounded accusations against rival technologies hurts your credibility: if your own proposal is superior and has no relevant drawbacks, why even bother flinging mud...!?
Ceram kan volgens Symetrix een goede opvolger zijn van de huidige nand-flashgeheugentechnologie die niet verder verkleind zou kunnen worden dan tot een 20nm-procedé
Nieuws uit 2012 over 10nm chips:

http://www.dailytech.com/...sh+Chips/article29202.htm

Begrijp ik iets verkeerd of staat er een fout in het artikel?
Nee, een marketing leugen. "10 nm class" betekent "10 to 19 nm", in de praktijk dus 19 nm. En er is altijd een discussie over wat precies gemeten wordt, dat kan je net de laatste nm opleveren.
Not a nice and wise comment Sir - we are not announcing design rules/ we are announcing a new device. We have no interest in marketing as we sell no products, only technology based in serious science. Think before calling other people liars. It is easy to say dumb things, but easier to keep an opened mind. Carlos A. Paz de Araujo.
Trying to respond to a discussion in a foreign language isn't the easiest thing to do. You missed that I was commenting on Samsungs so-called 10 nm process.
Yes, that and FPGA to be at a high node and yet nonvolatile - something that got lost. Also, the high end embedded space for IoT will not go too far with FLASH or even STTRAMs. CeRAMs have currently current densities of 3KA/cm2. STTRAMs 6 MA/cm2 if vertical architecture. Cost: 40% that of FLASH. Monolithic 3D and array only design, doable and in progress. Thus, it is not only a matter of FLASH being further reduced, but that this is a game changer in cost, stacking and speed. Also, the 400 C storage is unbeatable. Thanks for your interest.
Sowieso is er erg weinig over dit nieuws te vinden, blijkbaar is Tweakers er een keer erg vroeg bij. De link naar de bron van dit nieuws werkt niet en over Ceram is ook weinig te vinden. Enig gerelateerde nieuws artikel wat ik kan vinden (met een door mij niet te volgen kleine discussie over deze technologie) is deze: http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1319178.
We want people to know, but no need for hype. Our team has 26 years experience in oxides, FeRAMs (FRAMs) and we put Billions of devices out there, There is no need to hype. We are privately held company of eggheads and nerds.

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Apple iOS 10 Google Pixel Apple iPhone 7 Sony PlayStation VR AMD Radeon RX 480 4GB Battlefield 1 Google Android Nougat Watch Dogs 2

© 1998 - 2016 de Persgroep Online Services B.V. Tweakers vormt samen met o.a. Autotrack en Carsom.nl de Persgroep Online Services B.V. Hosting door True