Het Amerikaanse bedrijf Crossbar heeft aangegeven zijn eerste prototypes van resistief geheugen, ook wel bekend als rram, te gaan produceren. Dat type geheugen moet sneller en betrouwbaarder worden dan flashgeheugen, zo belooft het bedrijf.
Crossbar ontleent zijn naam aan de opbouw van zijn resistieve ram-geheugen: dat wordt opgebouwd uit haaks op elkaar liggende elektrodes, die doen denken aan dwarsbalken. Tussen de twee elektrodes wordt, wanneer een spanning wordt aangelegd, een geleidend kanaal gevormd: dat vormt een geheugencel. Die blijft intact wanneer geen spanning op het geheugen staat, wat rram geschikt maakt voor opslag van data. Crossbar heeft zijn eerste chips bij een commerciele chipproducent laten maken, zo meldt het bedrijf.
Volgens Crossbar moet hun rram vergeleken met nand-geheugen slechts de helft van de ruimte innemen om dezelfde capaciteit te bereiken. Bovendien zou het zeer eenvoudig stapelbaar zijn om de capaciteit verder te vergroten zonder de afmetingen van chips toe te laten nemen. Op een enkele 200mm² grote chip zou een terabyte aan data opgeslagen kunnen worden. Het geheugen zou onder meer in opslagproducten als ssd's, tablets en andere mobiele apparaten gebruikt kunnen worden.
Het rram zou niet alleen hogere capaciteiten op kleinere chips mogelijk maken, maar zou ook nog eens zuiniger zijn dan nand-geheugen. Crossbar claimt dat het door hun ontwikkelde geheugen tot twintig keer zuiniger is dan nand. Ook de snelheid waarmee data kan worden weggeschreven zou eenzelfde factor sneller zijn, terwijl de levensduur tien maal die van nand zou bedragen. Met de productie van het geheugen in een standaard cmos-procedé zou Crossbar op relatief korte termijn een commercieel product op basis van zijn technologie willen uitbrengen.