Het Japanse technologiebedrijf NEC heeft samen met de Tohoku-universiteit een nieuw type geheugen ontwikkeld. Dit moet de snelheid van ram combineren met eigenschappen van flashgeheugen: ook zonder stroom blijft data behouden.
Het nieuwe cam, of content addressable memory, werd ontwikkeld op basis van spintronics. Het geheugen maakt gebruik van het magnetische-spinmoment van elektronen om data op te slaan. In cam wordt data in verticale elementen opgeslagen door middel van magnetisatie van die elementen. Als de geheugencellen geen spanning krijgen, blijft het magnetische effect behouden. Op die manier zou het geheugen als energiezuinige vervanger voor conventioneel ram dienst kunnen doen.
Het cam zou met ram vergelijkbare snelheiden kunnen halen dankzij het gebruik van twee elementen per geheugencel; één element is voor lezen en het andere voor schrijven. Het cam kan in 5ns worden uitgelezen en verstookt daarbij 9,4mW. Voor het schrijven van data is een stroom van 200mA nodig. Het geheugen werd volgens een cmos-procedé gebouwd en beslaat 6,6 vierkante micrometer per cel.
Het geheugen, dat NEC in samenwerking met de Japanse Tohoku-universiteit ontwikkelde, zou niet alleen zuinig, maar ook eenvoudiger zijn. Per twee geheugencellen zijn nog maar drie transistors nodig in plaats van acht. Dit wordt gerealiseerd door transistors te delen en leidt tot een oppervlaktebesparing van 50 procent.
