Samsung heeft zijn nieuwste generatie flashgeheugenchips in massaproductie genomen. De V-nand-chips zijn de eerste zogeheten 3d-chips van het Zuid-Koreaanse bedrijf: het bestaat uit meerdere lagen flash-chips die opeengestapeld worden.
Met de massaproductie van de eerste V-nand-geheugenchips wil Samsung de capaciteit van zijn flash-chips vergroten. Conventioneel nand-geheugen wordt opgebouwd uit chips die uit een enkel laagje transistors bestaan. In een chip-package worden vaak meerdere chips opeengestapeld, maar dat zijn dan losse chips. Met het V-nand integreert Samsung meerdere lagen transistors in een enkele chip, wat tot een '3d-chip' leidt. Die moeten hogere opslagcapaciteiten in onder meer solid state drives mogelijk maken.
Samsungs eerste massageproduceerde 3d-chip met V-nand krijgt een capaciteit van 128Gb. Het nieuwe geheugen wordt mogelijk gemaakt door twee technologieën die Samsung ontwikkelde: ctf en verticale interconnects. Die eerste, charge trap flash, houdt een elektrische lading vast in het siliciumnitride tussen twee werkzame nand-lagen. Zo wordt voorkomen dat de lading invloed heeft op naburige cellen. Dat zorgt voor een grotere betrouwbaarheid van de weggeschreven data en maakt bovendien hogere schrijfsnelheden mogelijk.
De verticale interconnects zorgen voor de communicatie tussen de verschillende lagen transistors of geheugencellen. Deze geleidende verbindingen maken opeenstapelingen tot vierentwintig lagen mogelijk. De 128Gb-chips moeten in toekomstige producten, waaronder ssd's, gebruikt gaan worden. In de toekomst zal Samsung ook grotere capaciteiten gaan produceren.