Toshiba is vrijdag begonnen met de bouw van de tweede fase van Fab 2 van zijn Yokkaichi productiefaciliteit voor nand-flashgeheugen. Daarmee is de eerste horde genomen naar de productie van 3d-flash, dat voor onder andere ssd's met meer opslagcapaciteit moet zorgen.
Toshiba en joint venture-partner SanDisk hebben momenteel drie nand-flash-fabs bij de Yokkaichi-faciliteit, waaronder sinds 2011 Fab 5 phase 1. Vrijdag gaf het Japanse concern het startsein voor uitbreiding van Fab 2 phase 2, die in de zomer volgend jaar afgerond moet worden. De faciliteit wordt gereed gemaakt voor productie op basis van nieuwe procedé's en voor de productie van 3d-flash.
Bij deze geheugenchips zijn meerdere lagen transistors gestapeld, wat tot een '3d-chip' leidt. Dit moet hogere opslagcapaciteiten in onder meer solid state drives binnen handbereik brengen, de kosten verlagen en obstakels bij het alsmaar verkleinen van productieprocedé's in ieder geval tijdelijk wegnemen. Toshiba heeft ongeveer een jaar achterstand op Samsung, die begin augustus de massaproductie van zijn V-nand met 3d-chips al begon en ook al de eerste ssd met het geheugen heeft aangekondigd.