Samsung is begonnen met de massaproductie van tlc-geheugenchips met een capaciteit van 128 gigabit volgens een 1x nanometer-procedé. Het tlc-geheugen kan drie bits per geheugencel opslaan, wat hogere dichtheden oplevert.
Samsung produceerde al langere tijd 1xnm-flashchips met triple level cells, kortweg tlc-nand, maar die chips hadden een capaciteit van 64 gigabit. Die capaciteit is nu verdubbeld tot 128 gigabit, waarmee de chips volgens Samsung de hoogste datadichtheid halen. In elke geheugencel kunnen drie bits worden opgeslagen; bij het gangbaardere mlc-geheugen zijn dat twee bits per cel, terwijl in slc-geheugen slechts een enkele bit in elke cel wordt opgeslagen.
De nieuwe chips worden op 10 tot 19 nanometer geproduceerd; Samsung is over het algemeen terughoudend met exacte informatie over nodes. Waarschijnlijk gaat het om 16nm-geheugen. Het tlc-geheugen dat in Samsungs 840-serie ssd's wordt gebruikt, wordt op 21nm geproduceerd.
Samsung wil de 128Gbit-tlc-chips in diverse producten gaan gebruiken. Zo moeten de chips onder meer in solid state drives gebruikt gaan worden, maar het flashgeheugen kan ook in embedded flash voor tablets, smartphones en geheugenkaartjes gebruikt worden. Volgens Samsung zijn de 128Gbit-chips voorzien van een toggle-mode ddr 2-interface, die snelheden tot 400Mbit/s mogelijk zou maken.
Over de levensduur van de chips is nog niets bekend, maar het nieuwe tlc-geheugen zou wellicht minder programmeer- en wiscycli kunnen doorstaan dan huidige mlc- en tlc-chips. Naarmate het procedé van nand-cellen kleiner wordt, kunnen de geheugencellen minder van dergelijke p/e-cycli doorstaan. Een goede controller en firmware die daar rekening mee houden, kunnen de levensduur echter optimaliseren.