Samsung is de massaproductie gestart van zijn 'driedimensionale' v-nand met 3 in plaats van 2 bits per geheugencel. Het gebruik van dergelijk geheugen kan tot lagere kosten voor Samsung en dus goedkopere ssd's zorgen.
Samsung combineert zijn 3d-v-nand-geheugen en technologie op basis van 3 bits per geheugencel voor ssd's. Samsung zet het tlc-geheugen in voor zijn tweede generatie van v-nandflash, met 32 in plaats van 24 verticaal gestapelde cellagen per nand-chip. Elke chip komt daarmee op 128Gb ofwel 16GB.
De eerste consumenten-ssd's met 3d-nand bracht Samsung afgelopen zomer uit: de 850 Pro. Het stapelen van lagen maakt efficiënter gebruik van de beschikbare ruimte mogelijk, zodat er van 'oudere' maar beproefde productieprocedés gebruikgemaakt kan worden bij gelijke datadichtheid ten opzichte van recente 21nm- of 19nm-productie. Dit brengt voordeel op het gebied van de levensduur met zich mee.
De eerste ssd's met tlc van Samsung waren de 840-modellen, die het bedrijf in 2012 uitbracht. Het grootste voordeel is het verlagen van de kosten voor Samsung: de fabrikant kan meer dies uit wafers halen. De overstap kan daardoor leiden tot goedkopere ssd's. "Het 3bit-v-nand gaat de transitie van dataopslag van harddrives naar ssd's in een stroomversnelling brengen", zegt Jaesoo Han, marketingtopman op gebied van geheugen bij Samsung Electronics.