Toshiba en Sandisk maken 48-laags 256Gbit 3d-flashgeheugen

Sandisk en Toshiba hebben met hun joint venture voor flashgeheugen een nieuwe mijlpaal behaald bij de ontwikkeling van 3d-nandflash met de naam 'Bics'. Het is de bedrijven gelukt om hun 48-laags-3d-nand van 128Gbit- naar 256Gbit-tlc op te schalen.

Dat schrijft Toshiba dinsdag op zijn site. Met het gestapelde geheugen willen bedrijven de opslagcapaciteit van onder andere ssd's flink opschroeven en de prijzen toch laag houden. De joint venture loopt met de ontwikkeling achter op Samsung die 32-laags-128Gbit-tlc- en mlc-modules verscheept. Micron en Intel komen met massageproduceerde 3d-nandmodules van 256Gbit-mlc en 384Gbit-tlc aan het eind van dit jaar en SK Hynix begint in het derde kwartaal van dit jaar met de productie van 36 laags nand-mlc-geheugen van 128Gbit.

De joint venture werd in mei 2014 aangekondigd, en ontwikkelde eerder dit jaar 2bit-per-cell-geheugen van 128Gbit, ofwel 16GB. Van het 256Gbit, of 32GB, 48-laags-geheugen met 3bit per cel moeten de eerste samples in september dit jaar verschijnen. De echte productie komt pas op stoom nadat de nieuwe Fab2-faciliteit in het Japanse Yokkaichi helemaal af is in de eerste helft van 2016. De fabriek wordt speciaal gebouwd voor de productie van 3d-nand. De vorige Fab2-fabriek werd er in 2014 voor afgebroken. De eerste producten met het Toshiba/Sandisk-geheugen zullen pas aan het eind van 2016 hun weg naar buiten vinden.

Reacties (20)

Door deze ontwikkeling wordt opslag alleen maar goedkoper en sneller, een goede zaak. Vergeet ook niet dat ssd's in het algemeen een stuk energiezuiniger zijn dan harde schijven.

dat laatste is niet altijd het geval: een Samsung Evo verbruikt in idle iets meer dan een zuinige 2,5" HDD
(dat komt doordat de Evo een pak geheugen onder stroom moet houden)
maar de zuinigste SSD's zijn een pak zuiniger

het lijkt mij logisch dat het goedkoper is om te produceren, maar sneller wordt niet over gesproken

[Reactie gewijzigd door catfish op 5 augustus 2015 09:58]

dat laatste is niet altijd het geval: een Samsung Evo verbruikt in idle iets meer dan een zuinige 2,5" HDD
(dat komt doordat de Evo een pak geheugen onder stroom moet houden)
maar de zuinigste SSD's zijn een pak zuiniger

Dat zou ik niet zomaar durven beweren:
http://www.tomshardware.c...view-1tb-ssd,3567-13.html.
Tevens zijn SSD's in idle quasi direct paraat om requests te servicen, een idle HDD is waarschijnlijk in standby of sleep mode en zal hoogstwaarschijnlijk terug moeten spinnen en/of zijn heads uit parkeermodus verplaatsen.

Persoonlijk ben ik een grote fan van het gebruik van 2.5'' HDDs als data schijf.

Ik kijk bv 95% van de tijd mijn gedownloade video's eerst vanaf mijn 2.5'' download schijf, op die manier bespaar ik redelijk veel stroom, maar boven alles, de prijs per GB is zoveel lager, dat je de energie besparing nooit terug kan verdienen.

Bijvoorbeeld de Toshiba MQ Series, 2TB de goedkoopste 2TB 2.5'', (maar er zijn ook genoeg kleinere goedkopere, en zuinigere alternatieven), verbruikt 0.7W idle en 1.7W read/write, daarnaast is volgens sommige bronnen de betrouwbaarheid van 2.5'' HDDs ook hoger dan die van desktop model, omdat ze gebouwd zijn voor laptops die een hogere schok bestendigheid nodig hebben, een mening waar ik ook in mee ga.

• Voltage - 5.0 V (+/- 5%)
• Spin up (start) Power - 4.5 watts (Max.)
• Seek Power - 2.20 watts (Typ.)
• Read/Write Power - 1.7 watts (Typ.)
• Low Power Idle - 0.70 watts (Typ.)
• Standby Power - 0.18 watts (Typ.)
• Sleep Power - 0.15 watts (Typ.)

En de tijd dat 2.5'' HDDs langzaam waren is ook al lang voorbij, met zijn 175MB/s.

In mijn ervaring zijn ze de ideale bv tijdelijke download/data schijven, en gebruik ze al jaren speciaal daar voor in mijn server builds.

Maar daarnaast gebruik je natuurlijk ook een SSD voor de OS, daar die voor dat gebruik veel sneller zijn.

Wel een goedkope 2TB (<= PC DOS MBR) single platter low power 2,5 " schijf heeft zeer zeker een bestaansreden .

Waarom moet de evo een pak geheugen onder stroom houden?

Ik gok dat de evo ssds vrij veel cache hebben om de performance een boost te geven.

Mischien omdat de EVO (optioneel) DRAM als write-back cache gebruikt?

Dit gaat dan specifiek over de 840 EVO en niet over de 850 EVO.
De 840 EVO gebruikt door de aanwezige cache meer stroom.

Jammer dat er niets wordt gezegd over de feature size. 3d nand biedt de mogelijkheid relatief grote feature size aan te houden en toch goedkoop te produceren. Dat zou de duurzaamheid ten goede komen.

Ik vraag mij af of ze deze productie proces ook gaan kunnen gebruiken voor de Xpoint technologie van Microsoft/micron, want als ik me niet vergis starten die pas bij 128gb volgend jaar

Ik vraag mij af of ze deze productie proces ook gaan kunnen gebruiken voor de Xpoint technologie van Microsoft/micron, want als ik me niet vergis starten die pas bij 128gb volgend jaar

Absoluut niet. 3D Xpoint gebruikt een volledig andere technologie: smeltend glas ipv transitors.

Edit: het gaat niet om glas maar om chalcogenides. (Geen idee wat dat zijn, eerlijk gezegd)

[Reactie gewijzigd door TheekAzzaBreek op 5 augustus 2015 12:08]

Zowel Intel als Micron houden de lippen stijf op elkaar over de gebruikte methode!

En dus wordt er druk gespeculeerd.

Exclusive: If Intel and Micron's "Xpoint" is 3D Phase Change Memory, Boy Did They Patent It

Peering closer at 3D XPoint memory: What are Intel, Micron up to?

PCM of CBRAM lijken de meest voor de hand liggende methodes

Dat valt erg mee: zie hier.

"Dat valt erg mee: zie hier."

Grapjas

Die informatie dateert van 2012 (InternetArchive)

Micron bracht toen al een 1Gb PCM chip op de markt.
Zie: : Micron starts mass production of 45nm 1Gb PCM chips

Op de Micron 3D XPoint pagina wordt met geen woord gerept over PCM

Interresant is ook het antwoord van een Intel woordvoerder:

"An Intel spokesperson categorically denied that it was a phase-change memory process...a memristor technology [or] spin-transfer torque"

Bron: theRegister

[Reactie gewijzigd door Carbon op 5 augustus 2015 13:20]

Ik vraag mij af of ze deze productie proces ook gaan kunnen gebruiken voor de Xpoint technologie van Microsoft/micron, want als ik me niet vergis starten die pas bij 128gb volgend jaar

Intel en micron hebben dit al: http://www.anandtech.com/...-256gbit-3d-nand-die-size

De vernieuwing is niet de opslag capaciteit maar het aantal layers!

Toshiba en Samsung hebben op dit moment de meest compacte NAND node (15nm), dat gecombineerd met meer layers resulteert in een kleinere chip (die-size) en dus meer chips per wafer.

[Reactie gewijzigd door Carbon op 5 augustus 2015 14:03]

3D Xpoint is overigens van Intel & Micron, niet Microsoft

3D Xpoint is dan ook geen vervanger voor flash, al zal het wel zo gebruikt kunnen worden.

Het wordt een tussenproduct, tussen DRAM en Flash in, met bijbehorende prijs per GB.

Aangezien zowel Toshiba als Samsung vrij geheimzinnig doen over hun 3D NAND technieken denk ik dat het een redelijke aanname is dat het om relatief groot productieprocedé gaat.

Zie hier nieuws van de 128 gbit variant in Maart van dit jaar en het vermoeden dat Samsung's V-NAND op een ~ 30-39 nm procedé gemaakt word.

Edit: zie ook hier nieuws: Samsung start massaproductie 3d-nandflash met 3 bits per cel

Het stapelen van lagen maakt efficiënter gebruik van de beschikbare ruimte mogelijk, zodat er van 'oudere' maar beproefde productieprocedés gebruikgemaakt kan worden bij gelijke datadichtheid ten opzichte van recente 21nm- of 19nm-productie. Dit brengt voordeel op het gebied van de levensduur met zich mee.

Daar staat overigens óók niet bij op productieprocedé het dan geproduceerd word maar wederom een vermoeden/verklaring waarom het groter zou kunnen zijn dan de meeste recente productieprocedés.

[Reactie gewijzigd door GewoonWatSpulle op 5 augustus 2015 11:20]