Micron werkt aan een nand-geheugenchip van 768Gbit met een oppervlakte van 179,2mm2. De chip heeft daarmee een hogere opslagdichtheid dan de huidige 256Gbit-chip van Samsung. Micron weet nog niet of de chip daadwerkelijk op de markt komt.
De 3d-nand-chip van Micron biedt maximale sequentiële leessnelheden van 800MB/s en schrijfsnelheden van 44MB/s. Met zijn oppervlakte van 179,2mm² en opslagcapaciteit van 768Gbit heeft de chip een opslagdichtheid van 4,29Gbit/mm². Het gaat om een 3d-chip waarbij de controller onder de flashchips is geplaatst. Micron maakte tijdens de vorige week gehouden Solid-State Circuits Conference bekend te werken aan de chip, maar liet daar volgens Eetimes ook weten nog niet te hebben besloten of het ontwerp daadwerkelijk op de markt komt.
Micron maakt gebruik van floatinggatetransistors bij de tlc-geheugencellen. Dit is het meestgebruikte type transistor voor planar flash-nand, maar Samsung gebruikt voor zijn 3d-V-nand zijn zelf ontwikkelde charge-trap-geheugencellen. Analisten claimen tegenover Eetimes dat Samsungs methode duurder en complexer is dan de traditionele floating-gatetechniek. Bij floating-gatetransistors zijn de elektronen opgeslagen in de geleidende laag van de floating gate, bij charge trap in de isolerende laag om een channel, waarbij Samsung het ontwerp verticaal toepast en gebruikmaakt van interconnect-via's door de geheugenlagen.
Microns chip zou een relatief grote blockgrootte van 96MB hebben en geen partieel beschrijven en wissen van geheugenblokken bieden. Dit brengt nadelen met zich mee voor efficiënt geheugenbeheer, het toepassen van trim en, uiteindelijk, voor de snelheid.
Geheugenfabrikanten zijn in een race verwikkeld om de datadichtheid te verhogen en de kosten binnen de perken te houden. Het is Samsungs strategie om het aantal lagen van zijn 3d-V-nand te verhogen; het bedrijf brengt momenteel geheugenchips van 48 lagen uit en claimt 100 lagen te kunnen stapelen. Toshiba/Sandisk heeft 48-laags 256Gbit-tlc gereed en zou eind 2017 op 768Gbit kunnen zitten met zijn BiCS-technologie. SK Hynix zou begin 2016 zijn 48-laags 256Gbit-tlc gaan produceren.
Update, 17.15: In het artikel stond abusievelijk dat de schrijfsnelheid van de Micron-chip 53MB/s is, maar dat moet 44 MB/s zijn.
Product | Oppervlak | Opslagdichtheid |
---|---|---|
Samsung V-nand 128Gbit-mlc 24 Layer | 133mm² | 0,96Gbit/mm² |
Samsung V-nand 128Gbit-tlc 32 Layer | 68,9mm² | 1,85Gbit/mm² |
Samsung V-nand 256Gbit-tlc 48 Layer | 97,6mm² | 2,6Gbit/mm² |
Micron 2D-nand 128Gbit-mlc | 147mm² | 0,87Gbit/mm² |
Micron 3D-nand 384Gbit-tlc | 168,5mm² | 2,28Gbit/mm² |
Micron 3D-nand 768Gbit-tlc (prototype) | 179,2mm² | 4,29Gbit/mm² |
3D-NAND | Lagen | Capaciteit | Productie/Verkrijgbaarheid |
---|---|---|---|
SK Hynix 3d-nand | 36 | 128Gbit (mlc) | Q4 2015 / 2016 |
SK Hynix 3d-nand | 48 | 256Gbit (tlc) | Q1 2016 / ? |
Samsung V-nand Gen 3 | 48 | 256Gbit (tlc) | Augustus 2015 / ? |
Samsung V-nand Gen 2 | 32 | 86/128Gbit (mlc) 128Gbit (tlc) |
Mei 2014 / H2 2014 |
Samsung V-nand Gen 1 | 24 | 128Gbit (mlc) | Augustus 2013 / H2 2013 |
Toshiba/SanDisk BiCS | 48 | 128Gbit (mlc) | H2 2015 / 2016 |
Toshiba/SanDisk BiCS | 48 | 256Gbit (tlc) | H1 2016 / 2016 |
Intel/Micron 3d-nand | 32 | 256Gbit (mlc) 384Gbit (tlc) |
Q4 2015 / 2016 |
Laatste cijfers van: oktober 2015, bron:Computerbase |