Intel, Toshiba en Samsung zouden van plan zijn om de krachten te bundelen voor het ontwikkelen van 10nm-procestechnologie. Een eerste investeringsronde zou worden gesteund door het Japanse ministerie van economie, handel en industrie.
Volgens Reuters, dat zich baseert op een artikel in de Japanse zakenkrant Nikkei, zouden de drie bedrijven van plan zijn om hiervoor een consortium op te richten en tien andere bedrijven in de halfgeleiderproductieketen uit te nodigen hieraan mee te doen. Samsung Electronics en Toshiba zijn respectievelijk de nummer een en twee van de wereld op het gebied van nand-flashgeheugen. De 10nm-procestechnologie zou in 2016 klaar moeten zijn.
Het nieuws over de mogelijke samenwerking is volgens Tech-On mogelijk gerelateerd aan het 'Ultralow-power Device Project for Low-carbon Society', een stimuleringsprogramma van de Japanse overheid. Het Japanse ministerie van economie, handel en industrie zou initieel in totaal vijf miljard yen, ongeveer 44,5 miljoen euro storten in een fonds voor de r&d-kosten van het project, terwijl de consortiumleden eenzelfde bedrag moeten inbrengen.
Het doel van het op te richten consortium zou zijn om 10nm-procestechnologie voor de productie van nand-flashgeheugen te ontwikkelen, terwijl Intel volgens Nikkei de technologie mogelijk voor snellere microprocessors gaat gebruiken.
X-bit Labs verwacht echter dat Intel de 10nm-technologie van het consortium gaat gebruiken voor de productie van nand-geheugen, omdat de procedés voor processors en flashgeheugen aanmerkelijk verschillen en omdat Intel zelf ook al fabrikant van nand-geheugen is.
Samsung en Toshiba participeren overigens al in IBM's 'fab club', die procestechnologie voor onder meer microprocessors ontwikkelt. De betrokken partijen hebben de plannen voor het consortium nog niet bevestigd.