Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , 4 reacties

IBM en Samsung gaan nauwer samenwerken bij onderzoek naar materiaal voor halfgeleiders, productieprocedés en andere chiptechnologie. Het onderzoek moet onder meer kleinere en zuinigere chips voor smartphones opleveren.

Samsung- en IBM-onderzoekers gaan naar eigen zeggen onder andere voor het eerst samenwerken als onderdeel van de Semiconductor Research Alliance bij het Albany Nanotech Complex in de staat New York. Ze gaan daar nieuwe materialen, transistorstructuren, interconnects en chippackages voor toekomstige productieprocedés ontwikkelen. Vooral voor mobiele technologie denken de bedrijven hier voordeel uit te kunnen halen, maar ook andere applicaties zouden er baat bij kunnen hebben.

De samenwerking tussen Samsung en IBM leidt ook tot een hernieuwde overeenkomst over de joint process development aan procedés van 20nm- en kleiner van beide bedrijven. Samsung en IBM vormen samen met onder andere STMicroelectronics, Toshiba, Renesas en Infineon al een alliantie om aan gate first high-k metal gate-technologie te werken. De eerste resultaten op basis van de 32nm- en 28nm-procedés voor high-k metal gate moeten dit jaar gereed zijn. Vorig jaar leek het erop dat Samsung op eigen houtje aan een alternatieve gate-technologie werkte: gate last high-k metal gate-technologie. Niet duidelijk is of Samsung zich met de hernieuwde samenwerking met IBM weer volledig achter gate first schaart.

Moderatie-faq Wijzig weergave

Reacties (4)

"There are two basic approaches to the next-generation gate stack in logic designs. IBM's "fab club" is using a gate-first approach, while Intel is deploying a rival replacement-gate or gate-last technology. In a gate-first approach, the gate stack is formed before the source and drain, as in a conventional CMOS process. Replacement-gate technologies are a gate-last approach, where the gate stack is formed after source and drain."

Dus het zou logisch zijn als Samsung door de samenwerking met IBM voor gate first kiest.
Niet echt, hoogstwaarschijnlijk is het onderzoek wat je voor beide technieken moet doen op vele vlakken hetzelfde. Door samen te werken kun je dus de kennis voor die onderdelen bundelen en toch twee verschillende eindproducten over houden.
Dit zijn natuurlijk goede ontwikkelingen. Zulke joint ventures kunnen een kostenbesparing opleveren. Zowel IBM als Samsung zijn geen kleine jongens op dit gebied.
Ik wil voor één keer ook eens paranoia doen: kostenbesparing én prijsafspraken? :)

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Apple iOS 10 Google Pixel Apple iPhone 7 Sony PlayStation VR AMD Radeon RX 480 4GB Battlefield 1 Google Android Nougat Watch Dogs 2

© 1998 - 2016 de Persgroep Online Services B.V. Tweakers vormt samen met o.a. Autotrack en Carsom.nl de Persgroep Online Services B.V. Hosting door True