IBM en Samsung gaan nauwer samenwerken bij onderzoek naar materiaal voor halfgeleiders, productieprocedés en andere chiptechnologie. Het onderzoek moet onder meer kleinere en zuinigere chips voor smartphones opleveren.
Samsung- en IBM-onderzoekers gaan naar eigen zeggen onder andere voor het eerst samenwerken als onderdeel van de Semiconductor Research Alliance bij het Albany Nanotech Complex in de staat New York. Ze gaan daar nieuwe materialen, transistorstructuren, interconnects en chippackages voor toekomstige productieprocedés ontwikkelen. Vooral voor mobiele technologie denken de bedrijven hier voordeel uit te kunnen halen, maar ook andere applicaties zouden er baat bij kunnen hebben.
De samenwerking tussen Samsung en IBM leidt ook tot een hernieuwde overeenkomst over de joint process development aan procedés van 20nm- en kleiner van beide bedrijven. Samsung en IBM vormen samen met onder andere STMicroelectronics, Toshiba, Renesas en Infineon al een alliantie om aan gate first high-k metal gate-technologie te werken. De eerste resultaten op basis van de 32nm- en 28nm-procedés voor high-k metal gate moeten dit jaar gereed zijn. Vorig jaar leek het erop dat Samsung op eigen houtje aan een alternatieve gate-technologie werkte: gate last high-k metal gate-technologie. Niet duidelijk is of Samsung zich met de hernieuwde samenwerking met IBM weer volledig achter gate first schaart.