Een alliantie van onder andere IBM, Samsung, STMicroelectronics en Infineon gaat zich op de ontwikkeling van het 28nm-productieprocedé storten. Doel is om tot energiezuinige chips voor mobiele internetapparaten te komen.
Chips op basis van het 28nm-high-k metal gate-platform kunnen in vergelijking met 45nm-chips de helft kleiner worden, terwijl ze 40 procent beter zouden presteren en 20 procent minder energie nodig hebben. De verbeteringen kunnen onder andere voor een nieuwe generatie van krachtige mobiele internetapparaten zorgen, die langer op een enkele acculading kunnen functioneren.
De technologie maakt onder andere sram-cellen van 0,12 vierkante micrometer mogelijk. Vorig jaar maakte IBM al bekend een eerste werkende sram-cel op 22nm gebouwd te hebben. De eerste samples van 28nm-chips rollen in de tweede helft van 2010 van de band, verwacht de IBM Joint Development Alliance. IBM, Samsung, STMicroelectronics, Chartered en Infineon werken al samen aan 32nm-high-k metal gate-technologie. De alliantie verwacht dat de opgedane ervaring voordelen op het gebied van kosten en snelheid bij de migratie naar 28nm oplevert.