Een onderzoeksinstituut van de Taiwanese overheid heeft sram met een 16nm-procedé geproduceerd en richt zich inmiddels al op 15nm. De ontwikkeling maakt een versnelde overstap van het huidige 45nm-procedé mogelijk.
De National Nano Device Laboratories, onderdeel van het Taiwanese onderzoeksinstituut National Applied Research Laboratories, heeft met behulp van een technologie genaamd nano injection lithography een 16nm-sram-chip ontwikkeld, meldt Taiwan Today. Sram is sneller en zuiniger dan dram, maar de productie ervan is een stuk duurder. Het geheugentype wordt onder andere gebruikt voor de cache van processors.
Sram wordt op dit moment op 45nm geproduceerd en de halfgeleiderindustrie maakt zich op voor de overstap naar 32nm. De ontwikkeling van de 16nm-chips laat zien dat de productie op dit procedé binnen handbereik is. Volgens Yang Fu-liang, directeur van NDL, zorgt het 16nm-sram voor een negen keer zo hoge capaciteit per chip als met 45nm-sram mogelijk is. Verder zou volgens hem de chipgrootte met 60 procent teruggebracht kunnen worden en kan het verbruik met de helft dalen.
Het onderzoekscentrum zou volgens DigiTimes samenwerking zoeken met de chipmakers Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, United Microelectronics Corporation en Macronix International Company om de ontwikkeling van een 15nm-procedé mogelijk te maken.
