Toshiba, IBM en AMD hebben naar eigen zeggen de kleinste sram-cel op basis van finfets ontwikkeld. De 22nm-sram-cel maakt gebruik van high-k/metal gate- procestechnologie en beslaat een oppervlakte van 0,128 vierkante micrometer.
De sram-cel is hiermee volgens de onderzoekers meer dan vijftig procent kleiner dan de tot nu toe ontwikkelde finfets. Finfets zijn verticale transistors met vinvormige siliciumkanalen zonder moedwillige verontreinigingen. Het onderzoeksteam wist de sram-cel te verkleinen door het optimaliseren van de fabricageprocessen, met als resultaat een werkende sram-cel met een lengte van 580 nanometer en een breedte van 220 nanometer.
De onderzoekers hebben ook de stochastische variatie van de finfet-eigenschappen binnen de sram-cel onderzocht. Daaruit kwam naar voren dat de karakteristieken van finfets met kanalen van puur silicium 28 procent minder variatie vertoonden dan kanalen van silicium dat met geleidend materiaal verontreinigd is. Ook wist het team sram-cellen met een oppervlakte van 0,063 vierkante micrometer te simuleren. De onderzoekers denken dat de vernieuwde technologie een belangrijke bijdrage kan leveren aan de ontwikkeling van krachtiger en zuiniger processors.