Intel denkt zijn huidige lithografische technieken te kunnen gebruiken voor 15nm-procestechnologie. Bij de overgang naar het 32nm-procedé is het echter wel nodig om van een droog naar een nat lithografisch proces over te stappen.
Het huidige proces waarmee etspatronen op de wafers voor 45nm-processors worden geprojecteerd, bestaat onder andere uit droge lithografie met uv-licht met een golflengte van 193nm. Deze techniek is echter voor 32nm-structuren niet fijn genoeg, reden waarom Intel bij die afmetingen overstapt op natte, of immersieve lithografie. Het bedrijf blijft dan uv-licht van 193nm gebruiken, maar de vloeistof tussen lichtbron en wafer fungeert dan als extra lens. De natte lithografie moet voor het 32nm-procedé gecombineerd worden met een phase-shift, of crossbar-techniek.
Voor de stap naar 22nm wil Intel natte lithografie combineren met dubbele patronen, waarbij het verschil tussen twee geëtste patronen het gewenste etspatroon moet opleveren. Volgens het hoofd onderzoek bij Intel, Mike Mayberry, kan zijn bedrijf met een combinatie van immersieve lithografie en dubbele etspatronen de 193nm-techniek tot een feature-size van 15nm kunnen gebruiken. Het alternatief voor gebruik op de 16nm-node, euv, is ondanks enkele jaren ontwikkeling nog niet gereed om ingezet te worden. Waar natte lithografie met dubbele patronen momenteel in staat is lijnen te definiëren op 15nm, kan euv slechts op 22nm lijnen printen.
Intel werkt met Nikon samen om de benodigde machines voor zowel natte lithografie als euv te ontwikkelen. Ook werken Intel en andere chipfabrikanten, waaronder Hynix, Samsung, Toshiba en wellicht TSMC, met ASML samen om machines voor euv-productie voor de 22nm-node gereed te maken. Overigens produceert TSMC al 64Mb grote geheugenchips op 28nm, waarmee ze naar eigen zeggen koploper zijn. In 2011 moeten 22nm-chips volgen, waarmee het bedrijf gelijke tred met Intel zou houden, dat eveneens in 2011 op 22nm zou overstappen.