Volgens een Frans technologie-onderzoekscentrum is de lithografiemachine die door het Delftse bedrijf Mapper Lithography werd ontwikkeld geschikt voor transistors van 14 en 10 nanometer. De machine werkt met elektronenbundels.
De zogeheten electron beam of kortweg e-beam- lithografische techniek moet op termijn de huidige lithografische technieken die met ultraviolet licht werken opvolgen. Naarmate de te produceren features van transistors kleiner worden, stappen chipfabrikanten en producenten van de benodigde apparatuur over op licht met een steeds kortere golflengte. Voor de productie van de huidige generatie processors tot 22nm is ultravioletlicht nog voldoende, maar voor toekomstige generaties moeten kleinere golflengtes gebruikt worden.
Een van de kandidaten naast 'double patterning', computational lithography en euv-lithografie, is electron beam-lithography. Deze techniek maakt geen gebruik van licht, maar van bundels elektronen om het masker voor de productie van chips af te tekenen. Het Nederlandse bedrijf Mapper Lithography ontwierp een prototype van een multibeam-lithografiemachine die transistors met featuresizes van minder dan 22nm moet kunnen produceren.
Het prototype werd getest door het Franse technologie-instituut CEA-Leti, waarmee Mapper Lithography samenwerkt. CEA-Leti slaagde erin om testpatronen van 22nm te produceren, maar ook 14nm- en zelfs 10nm-afmetingen zouden met de techniek mogelijk zijn. De elektronenbundeltechniek maakt gebruik van verschillende elektronenbundels om de te etsen structuren, zonder gebruik van een masker, op een wafer aan te brengen.
Beide bedrijven hebben onder de naam Imagine een r&d-overeenkomst met een looptijd van drie jaar getekend. In die periode moet een verbeterde testmachine van Mapper bij CEA-Leti worden geïnstalleerd. In de loop van 2012 moet het systeem één wafer per uur kunnen afleveren, wat opgeschaald zou kunnen worden tot tien wafers per uur. Onder meer TSMC en STMicroelectronics nemen eveneens deel aan het Imagine-programma.