Het Amerikaanse nanotechnologiebedrijf Nantero is er in geslaagd wafers te produceren voor geheugen dat is gebaseerd op koolstof-nanobuisjes door gebruik te maken van doorsnee halfgeleidertechnologie.
Met de wafers heeft Nantero een obstakel uit de weg geruimd voor het commercieel exploiteren van nano-ram: geheugen dat sneller en energiezuiniger is dan het huidige flashgeheugen. Koolstofbuisjes, waarvan de wanden een molecuul dik zijn en een diameter hebben van een miljardste van een meter, vormen de basis van nram-chips. Nantero heeft tien miljard van dergelijke nanotubes op een enkele wafer weten te rangschikken in een standaard halfgeleiderfabriek. De wafer werd eerst voorzien van een laag buisjes die horizontaal parallel aan elkaar lagen in een silicium substantie, en vervolgens van een laag rechtopstaande buisjes, ook in silicium. De tubes kunnen individueel gebogen worden door er een elektrische lading doorheen te sturen. Een gebogen buisje vormt een gesloten circuit door het opheffen van de elektrische weerstand en is zo te beschouwen als een binaire één. Een recht buisje vormt een nul.
Bij de productie werd het materiaal van de nanobuisjes aan halfgeleidertechnieken als spincoating, lithografie en etsen onderworpen. Nantero hoopt zijn intellectueel eigendom in licentie te kunnen geven aan halfgeleiderfabrikanten, die de nram-chips vervolgens aan pc-, notebook- en server-fabrikanten kunnen leveren. In 2010 zou nram-geheugen vervolgens zijn weg kunnen vinden naar de apparaten, aldus Techworld.