Onderzoekers hebben een methode ontwikkeld om nanodraden in elektronische circuits te integreren. De oplossing levert hoge opbrengsten van circuits op, die tegen lage kosten gefabriceerd kunnen worden.
Medewerkers van de School of Engineering and Applied Sciences van de universiteit van Harvard en een medewerker van de universiteit van Jena hebben hun methode om koolstof-nanodraden te integreren met siliciumschakelingen in de uitgave Nano Letters gepubliceerd. Dankzij hun inmiddels gepatenteerde techniek is massaproductie van combinaties van cnt's en traditionele chips mogelijk en economisch haalbaar. Met de nieuwe combinaties kunnen niet alleen elektronische circuits gebouwd worden, ook optische chips zijn mogelijk.
De onderzoekers maken bij hun methode gebruik van standaard fotolithografische processen en een techniek die bij silicium-chipproductie gebruikelijk is: glas als isolator dat op de wafer gedeponeerd wordt. De nanodraden worden tussen een substraat van silicium en een geleidende toplaag geplaatst. Om contact tussen het p-gedoteerde silicium en het metalen contact aan de bovenkant te voorkomen, wordt een isolerende laag glas aangebracht. Door een spanning aan te leggen tussen substraat en topcontact, krijgen de koolstofdraadjes stroom. Zo slaagde het team erin led's te construeren, waarbij de golflengte van de fotonen afhankelijk is van het type cnt dat gebruikt wordt.
Als demonstratie toonden de onderzoekers een wafer met daarop honderden uit nanobuisjes met zinkoxide gebouwde led's. Vooralsnog heeft het team geen controle over de oriëntatie van de buisjes op het silicium, maar de onderzoekers werken aan een manier om de richting waarin de cnt's liggen, te sturen. De methode zou de weg vrij kunnen maken voor chips met een groot aantal nano-lasers die bijvoorbeeld als optische interconnects dienst kunnen doen.
