Samsung Foundry verwacht TSMC over vijf jaar te kunnen 'overtreffen'. Dat zegt Dr. Kye Hyun Kyung, het hoofd van Samsungs halfgeleiderdivisie. Het bedrijf erkent dat het momenteel nog enkele jaren achterloopt op TSMC op het gebied van massaproductie van geavanceerde chips.
"Om eerlijk te zijn loopt de foundrytechnologie van Samsung Electronics achter op TSMC", zei Dr. Kye Hyun Kyung tijdens een lezing op het Korea Advanced Institute of Science and Technology. Dat meldt het Zuid-Koreaanse nieuwsmedium The Korean Economic Daily, dat bij de presentatie aanwezig was. "Momenteel loopt de 4nm-technologie van Samsung Electronics twee jaar achter op TSMC en de 3nm-technologie ongeveer een jaar", zegt de topman. "Zodra TSMC zich echter aansluit in de race om 2nm-technologie, zal Samsung vooroplopen. We kunnen TSMC binnen vijf jaar overtreffen", meldt Kyung daarbij.
Samsung introduceerde vorig jaar de eerste generatie van zijn 3nm-procedé, genaamd SF3E. Daarmee stapte het bedrijf als eerste over op zogeheten gate-all-aroundtransistors, die het bedrijf zelf mbcfets noemt. Het bedrijf zegt goede reacties van klanten te krijgen op die node, hoewel dat procedé nog niet grootschalig wordt toegepast. Samsungs geavanceerdste node voor de productie van complexe chips is SF4, waarvan het bedrijf dus bevestigt dat het achterloopt op TSMC, schrijft ook Anandtech. Later dit jaar komt de fabrikant met een verbeterd 4nm-procedé, SF4X. Daarmee moet die achterstand al iets worden ingelopen, meldt Twitter-gebruiker tech_rave op basis van de presentatie van Kyung.
De tweede generatie van Samsungs 3nm-procedé, die de naam SF3 krijgt, gaat in 2024 in volumeproductie en moet breder inzetbaar zijn, zo blijkt uit eerdere informatie van Samsung. Het bedrijf deelt in juni meer details over die node tijdens het VLSI 2023-symposium in Japan, merkt Tom's Hardware op. In een eerdere roadmap bevestigde Samsung al dat het zijn 2nm-procedé, die ook wordt gebaseerd op gaa-transistors, in 2025 beschikbaar komt voor grootschalige productie. Samsungs eerste 1,4nm-node staat op de planning voor 2027 en krijgt naar verwachting ook gaa-transistors.