Samsung start de massaproductie van 3nm-chips met gate-all-aroundtransistors en Multi-Bridge-Channel FET in de eerste helft van 2022. De 2nm-productie moet vervolgens in 2025 van start gaan. Dat staat op de actuele roadmap van het bedrijf.
Na de eerste 3nm-chips in de eerste helft van 2022 krijgt het 3nm-procedé van het bedrijf in 2023 een update voor een nieuwe generatie chips. Daarna maakt Samsung zich op voor de overstap naar 2nm. Die laatste node is nu nog in een vroeg stadium van ontwikkeling, maar in 2025 moet de massaproductie beginnen. Dat meldde Samsung tijdens zijn Samsung Foundry Forum.
Samsungs 3nm-node van de eerste generatie maakt een verkleining van het chipoppervlak van 25 procent mogelijk versus 5nm. De prestaties van gelijkaardige chips kunnen bij 3nm 30 procent hoger uitpakken of de energieconsumptie kan met de helft afnemen tegenover 5nm, zo luidt de claim. De yield van 3nm, de opbrengst van functionerende chips, 'benadert' die van de huidige 4nm-node, verzekert Samsung. Details over de 2nm-generatie meldde het bedrijf nog niet.
Samsung maakt voor 3nm gebruik van gate-all-around-, of gaa-transistors met Multi-Bridge-Channel FET. Mbcfet is Samsungs naam voor zijn gaa-procedé waarbij het nanosheets toepast voor de kanalen die omgeven zijn door de gate. Bij de huidige chipgeneraties gaat het nog om finfets waarbij de gate over een 'fin' geplaatst is. Ook zijn finfet-productie blijft Samsung verbeteren. Zo meldt het bedrijf de komst van een nieuw goedkoop en efficiënt 17nm-procedé.