Samsung produceert zijn eerste chips op 3nm met gebruikmaking van gate-all-aroundtransistors. Volgens het bedrijf kan zijn 3nm-procedé tot een daling van het energieverbruik van maximaal 45 procent tegenover 5nm leiden.
De 3nm-chips met gaa-transistors die Samsung als eerste produceert, kunnen 45 procent zuiniger worden of 23 procent beter presteren, aldus het bedrijf. Daarnaast zijn de chips tot 16 procent kleiner. Daarbij heeft Samsung het over de eerste 3nm-generatie; de tweede generatie 3nm-chips kunnen tot 50 procent zuiniger worden of 30 procent beter presteren, waarbij het oppervlak met 35 procent kan afnemen.
Samsung maakt voor zijn eerste gaa-transistors gebruik van technologie die het Multi-Bridge-Channel FET noemt. Dit is Samsungs opvolger van FinFET. Het Koreaanse bedrijf gebruikt naar eigen zeggen relatief brede kanalen om hoge prestaties en laag verbruik mogelijk te maken. Samsung kan de breedte van de kanalen bij Multi-Bridge-Channel FET aanpassen om klanten flexibiliteit te bieden als het gaat om de verhouding tussen de prestaties en het verbruik.
Bij gate-all-aroundtransistors, die zijn opgebouwd uit nanosheets, omsluiten de gates de kanalen volledig voor meer contactoppervlak met de gates, zodat snellere transistors met lagere lekstromen mogelijk zijn. Samsungs concurrent TSMC gebruikt nog finfets voor zijn 3nm-procedé . Dit type transistor heeft een gate over een kanaal met de vorm van een vin.