Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , 12 reacties

Geheugenfabrikant Micron start de massaproductie van nand-chips voor flashgeheugen die volgens een 34nm-procedé vervaardigd worden. Micron heeft capaciteiten van 16Gb en 32Gb aangekondigd.

Al ruim een jaar geleden liet Micron de eerste samples van 16Gb- en 32Gb-chips die het op 34nm bakt van de band liet rollen. In mei 2008 beloofde de Amerikaanse geheugenfabrikant de massaproductie van die chips in de tweede helft van 2008 te starten. Dat lukte niet, maar nu heeft Micron dan toch aangekondigd aan te vangen met de massaproductie van de 34nm-nandchips. Wel zou de geheugenfabrikant er in de tussentijd in geslaagd zijn de chipafmetingen met ongeveer 17 procent te reduceren. Daarnaast zal de chipbakker ook samples van 8Gb- en 16Gb-slc-chips uitleveren die eveneens via het 34nm-procedé geproduceerd worden.

De kleine chips met hun hoge capaciteiten zullen onder meer in geheugenkaarten gebruikt worden: Micron en zijn retailpoot Lexar hebben aangekondigd dat Lexar de door Micron geproduceerde nandchips in zijn geheugenkaartjes gaat gebruiken, te beginnen met de Lexar Platinum II 32GB 60x sdhc-kaart. De geheugenproducten moeten profiteren van de prestaties die het compacte geheugen biedt. Micron claimt voor zijn mlc-chips namelijk overdrachtssnelheden tot 200MB/s, wat de chips tevens geschikt maakt als component in toekomstige solids state disks met sata-6Gb-interface. De Lexar-producten met de nieuwe chips aan boord, waaronder de 32GB Lexar Platinum II sdhc-kaart en de met 16Gb-chips uitgeruste Lexar 16GB microsdhc-kaarten, zijn per direct verkrijgbaar.

Micron overzicht procestechnologie

Gerelateerde content

Alle gerelateerde content (23)
Moderatie-faq Wijzig weergave

Reacties (12)

WOW hoe maken ze die foto's???
valt trouwens op dat 50NM er anders uitziet dan de rest. veel puntiger.

ps is 200MB/S echt per chip
of is het Mb/s per chip of
200 MB/S per disk?

want 200MB/S per chip....
x 10 chips met intels controller
is namelijk wel heel erg belachelijk }>

[Reactie gewijzigd door freaq op 1 juli 2009 17:00]

Met een SEM (scanning electron microscope)

http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_electron_microscope

De snelheid van een SSD met deze chips zal wel begrensd worden door de maximum snelheid van 1 MLC lijkt me, ik denk niet dat de controller zomaar 10 chips tegelijk kan lezen en schrijven en dan de resultaten in 1x kan verwerken, de controller en de geheugenbus waar al die chips opzitten hebben natuurlijk ook performance limitaties. Ik zou ook denken dat de controller veel te complex wordt als er parallel uit meerdere MLC's tegelijk moet worden gelezen/geschreven, maar hoe zoiets in een SSD precies werkt weet ik niet.

Edit: misschien toch ook wel, want anders is natuurlijk nergens SATA 6GB/s voor nodig, en zou die 200MB/s ook weinig indrukwekkend zijn. Dus het zal inderdaad op de controller en het ontwerp van de SSD afhangen wat de echte doorvoersnelheid van zo'n disk zal worden.

[Reactie gewijzigd door johnbetonschaar op 1 juli 2009 17:08]

Het praktische probleem voor controllers is dat ze het al moeilijk genoeg hebben. Flash werkt van nature in grote blokken, daarom is het juist zo goedkoop. Een Flash block is 128KB; je SSD werkt echter met 4KB blokken. 4KB writes zijn daarom niet snel. Als je meerdere chips gebruikt, dan kun je de writes beter spreiden. Zodra de controller de data verzonden heeft kan de Flash chip 't zelf verder wel afhandelen. De contoller kan daarna een ander chip aanspreken. Het voordeel van meer chips is daarom vooral zichtbaar in write performance. Zie ook http://images.micron.com/campaign/mlc_slc.jpg.
hoe heet zo;'n ding ook al weer...
electron microscoop?

@hierboven idd Wiki Electron Microscope

[Reactie gewijzigd door incinerator82 op 1 juli 2009 17:03]

Zoals zovelen al hebben gezegd, met een elektronenmicroscoop of met een AFM (atomic force microscope). Je kan het ook niet echt foto's noemen, want het zijn gescande beelden.

Bij een gewone foto gebruik je de intensiteit van de lichtfotonen, bij een electronenmicroscoop gebruik je elektronen, en bij een AFM maak je gebruik van het 'tunneling effect'.

Zoals meestal: wiki'n
De AFM is in feite de opvolger van de STM, maar maakt wel nog altijd gebruik van hetzelfde principe, dus een AFM is ook een STM :)
De meetopstelling voor AFM en STM (en SSRM) is ongeveer dezelfde, maar het principe dat gebruikt wordt om het beeld te vormen is toch zeer verschillend!

Een AFM geeft topografie contrast; gezien het uitzicht van de fotos lijkt het me zeer onwaarschijnlijk dat dit AFM scans zouden zijn; dan zou er een vrij rare contrast-ets gebruikt moeten zijn (Si anisotroop etsen en Si3N4 wegetsen zonder aan SiO2 te raken)

STM ken ik niet zo goed maar lijkt me ook onwaarschijnlijk (waarom zouden zowel (isolerend) nitride als (geleidend) Si donker contrast geven terwijl het (isolerend) oxide wel een licht contrast geeft...

Deze fotos lijken toch het meest op TEM (transmissie elektronen microscopie) beelden, onder andere vanwege de resolutie die moeilijk tot onmogelijk met SEM te halen is (ik vermoed dat de resolutie die op de wikipedia pagina vermeld staat slaat op de spotgrootte, maar de uiteindelijke resolutie van een foto is een stuk slechter). Bovendien is het contrast volgens korrelgrenzen vrij typisch voor TEM fotos: in de 50nm foto is het zeer duidelijk te zien dat er een floating gate donker is terwijl de anderen (van het zelfde materiaal maar waarschijnlijk toevallig in een andere kristalrichting) veel lichter zijn...

De correcte wikipedia link is dan waarschijnlijk:
http://en.wikipedia.org/w...ssion_electron_microscope
AFM en STM werken allebei via het scannen van een probe. Maar ze werken echter volgens een volkomen ander principe.

Bij AFM meet je de kracht tussen de punt het oppervlak. Typisch v.d.Waals kracht en elektrostatische kracht. Bij MFM ook magnetische kracht. De deflectie van de AFM tip door die krachten wordt i.h.a. gemeten door een laserstraal die van de buigende cantilever afketst.

Bij STM meet je een stroom tussen de (geleidende) punt en het oppervlak. Die stroom wordt inderdaad door tunneling veroorzaakt.
Dan zal dat bericht van een paar dagen terug (nieuws: 'Intel brengt over twee weken 34nm-ssd's uit') wel een aankondiging over twee weken zijn, áls het al klopt natuurlijk, want het zijn nog altijd geruchten...

Kan natuurlijk ook nog zo zijn dat Intel wat voorrang heeft gekregen/krijgt van de Intel-Micron joint venture IM Flash Technologies, we wachten het af, ik ben in ieder geval wel benieuwd naar nieuwe Intel SSD's...

[Reactie gewijzigd door Chimera op 1 juli 2009 18:05]

Ik vind het jammer dat er in dit artikel niets terug komt over de levensduur van de chips. In 2004 was dit nog een hot issue, maar hier wordt nu niet veel meer over gezegd. Zou graag weten wat de grote fabrikanten daar (naast procesverkleining) voor acties op hebben ondernomen.

Overigens, welke component van de chips is er nu eigenlijk gefotografeerd?
WOW hoe maken ze die foto's???
]met een fotocamera

OT: electronenmicroscoop?

[Reactie gewijzigd door tes_shavon op 1 juli 2009 17:03]

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Apple iOS 10 Google Pixel Apple iPhone 7 Sony PlayStation VR AMD Radeon RX 480 4GB Battlefield 1 Google Android Nougat Watch Dogs 2

© 1998 - 2016 de Persgroep Online Services B.V. Tweakers vormt samen met o.a. Autotrack en Carsom.nl de Persgroep Online Services B.V. Hosting door True