De Japanse bedrijven Elpida Memory en Sharp werken samen aan de ontwikkeling van een nieuw type geheugen dat als opslag kan dienen. De resistieve ram-chips zouden vele malen sneller dan nand-flash-geheugen zijn.
De geheugentechniek die Elpida en Sharp samen ontwikkelen, moet de huidige nand-flash-chips, die onder meer in solid state drives en andere vormen van opslagmedia gebruikt worden, op termijn kunnen vervangen. Het resistieve geheugen zou volgens beide bedrijven tot tienduizend maal sneller beschreven kunnen worden dan nand-chips. Bovendien vergt het rram een lagere werkspanning dan nand-geheugen.
Resistief ram-geheugen werkt door een geleidend kanaal in een isolerend diëlektricum te vormen. Een stuurspanning moet voor de vorming van het geleidende kanaal zorgen: dat kanaal kan weer verbroken worden door opnieuw spanning te zetten. Vergeleken met min of meer vergelijkbare geheugentechieken als phase change-geheugen kan rram sneller schakelen en zijn de geheugencellen kleiner dan bij mram. De werkspanning is bovendien lager dan dat van conventioneel flashgeheugen.
De Japanse bedrijven zullen het geheugen in samenwerking met onder meer het National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, de universiteit van Tokio en andere chipfabrikanten ontwikkelen. Naar verwachting moeten de rram-chips in 2013 op grote schaal geproduceerd kunnen worden in Elpida's fabrieken.