Door Willem de Moor

Redacteur

Intel 660p-ssd Review

De eerste consumenten-ssd met qlc-nand

03-10-2018 • 06:00

103

Multipage-opmaak

Inleiding: eindelijk qlc

Fabrikanten van ssd's zijn altijd op zoek naar manieren om de kosten per bit omlaag te krijgen. Meer geheugenbits voor minder geld produceren betekent immers meer winst. Voor de consument lijkt het voordeel ook duidelijk; je krijgt meer opslag voor minder geld, maar het is de vraag of je met alle ontwikkelingen ook beter af bent.

We kijken hoe dat zit bij de eerste consumentendrive met nandchips die geen drie, maar vier bits per nandcel kunnen herbergen. Dit qlc-nand moet goedkoper zijn dan directe concurrenten als tlc-nand en dat moet leiden tot goedkopere ssd's. Of dat niet alleen de capaciteit, maar ook de prestaties ten goede komt, bekijken we in deze review.

Fabrikanten werken al lange tijd aan qlc-nand en het heeft vrij lang geduurd voordat de techniek daadwerkelijk in consumentenproducten was te vinden. Voor de zakelijke markt is al sinds mei een ssd-lijn met qlc beschikbaar, maar eindgebruikers moesten tot dit najaar wachten. We hebben Intels 660p-ssd getest. Dat is niet 's werelds eerste, maar wel de eerste consumentendrive met qlc-nand die daadwerkelijk verkrijgbaar is. De resultaten zetten we af tegen vergelijkbaar geprijsde ssd's en uiteraard kijken we ook naar de techniek achter deze drives, namelijk het qlc-nand.

660p met verpakking

Met dank aan BTO voor het beschikbaar stellen van de sample

Schalen

Het schalen, dus het kleiner maken van transistors, is bij alle soorten halfgeleiders moeilijk, getuige Intels problemen om na vijf jaar nog altijd geen kleinere dan de huidige 14nm-processors te produceren. Bij het maken van chips voor nandopslag is het schalen een nog groter probleem, niet omdat het niet kleiner zou kunnen, maar omdat kleinere procedés simpelweg niet werken.

We hebben het in een eerder achtergrondverhaal al uitgebreid gehad over de techniek in nandcellen, maar een kleine opfrisser kunnen we wel gebruiken. Er zijn diverse typen nandgeheugen dat door fabrikanten wordt gebruikt, zoals floating gate nand en charge trap flash. In alle gevallen wordt een lading in een geheugencel opgeslagen en weer uitgelezen.

Opslagniveaus in nand

Dat opslaan gebeurt door de cellen te programmeren met een referentiespanning die veel of weinig elektronen in de cel laat lopen. Bij slc-nand was dat relatief eenvoudig: veel elektronen is een 0 en weinig elektronen een 1. Bij het uitlezen komt het niet zo nauw; alles wat 'een beetje hoog' is, kan als 1 worden uitgelezen en alles in de buurt van laag is een 0. Het nadeel van slc is de prijs. Elke bit opslag vereist een nandcel en dus is er veel silicium nodig om een flinke ssd te maken.

Met mlc introduceerde de industrie twee bits per cel, door de lading in vier domeinen te verdelen. Zo verdubbelde de opslagcapaciteit van een chip zonder noemenswaardige extra kosten. Met tlc werden ssd's nog goedkoper dankzij drie bits per cel, maar werd het uitlezen al complex en dus traag, omdat onderscheid moet worden gemaakt tussen maar liefst acht ladingstoestanden.

Imiddels zijn we bij qlc-nand aangeland en is de complexiteit weer verdubbeld. Er zijn zestien ladingsniveaus in een geheugencel en dat levert vier bit per cel op. Leuk voor de kosten, maar het uitlezen en schrijven duurt nog langer, want het vergt allemaal meer precisie. Bovendien worden de gebruikte spanningen om te lezen en schrijven bij meer bits per cel in de regel hoger, wat de slijtage verhoogt en dus de levensduur, ofwel het aantal lees- en schrijfcycli, doet afnemen.

De Intel 660p nader bekeken

De belangrijkste feature van de 660p is vanzelfsprekend de prijs. Als eerste consumentendrive met qlc-nand moet de ssd het immers niet hebben van baanbrekende snelheid. Toch heeft Intel wel een beetje op snelheid ingezet, door de 660p niet als budgetsata-, maar als m2-drive op de markt te zetten. Daarmee wil Intel een drive bieden die een stuk sneller is dan een sata-ssd, maar die niet significant duurder is.

Intel 660p 512GB

Met het qlc-nand dat samen met Micron in de IMFT-joint venture wordt gemaakt, lijkt dat in ieder geval op papier aardig gelukt. De door ons geteste 512GB-versie kost ongeveer 110 euro, wat omgerekend zo'n 21 tot 22 cent per gigabyte betekent. Er zijn bar weinig m2 x4-drives die goedkoper zijn; in dat prijssegment is de interfacesnelheid veelal beperkt tot pcie-x2-snelheden. In het satasegment zijn er wel tal van goedkopere drives; de budget-ssd's zitten momenteel op zo'n 17 cent per gigabyte. Dan is de absolute maximale snelheid natuurlijk 600MB/s, terwijl Intels 660p tot driemaal zo hoge snelheden belooft.

Intel 660p-capaciteit 512GB 1TB 2TB
Controller SM2263
Cache 256MB ddr3
Slc-cache 6GB - 76GB 12GB - 140GB 24GB - 280GB
Leessnelheid seq 1500MB/s 1800MB/s 1800MB/s
Schrijfsnelheid seq 1000MB/s 1800MB/s 1800MB/s
Random lezen 90.000iops 150.000iops 220.000iops
Random schrijven 220.000iops 220.000iops 220.000iops
TBW 100TB 200TB 200TB

De Intel 660p is in vier varianten verkrijgbaar, allemaal met qlc-nand en een SM2263-controller van Silicon Motion. Die controller beschikt over vier kanalen, voor dit segment genoeg. Ondanks de budgetklasse van de 660p heeft de ssd wel dram-cache aan boord; alle capaciteiten beschikken over dezelfde 256MB ddr3-cache. Om de prestaties verder op te schroeven, sturen de drives een deel van hun nand aan als slc-geheugen in plaats van qlc-nand. Dat maakt veel sneller schrijven mogelijk, en data kan vanuit de snelle slc-cache naar het langzamere qlc-nand geschreven worden. Om het relatieve belang van slc-cache voor een qlc-drive te onderstrepen, heeft Intel de slc-cache dynamisch gealloceerd; een bijna lege drive heeft veel meer slc-cache dan een bijna volle drive.

Intel 660p slc-cache

De in ieder geval vermeende achilleshiel van tlc was volgens velen de korte levensduur vergeleken met mlc-ssd's. Qlc-drives zouden nog minder lang meegaan. Deels klopt dat wel: de tbw, een afkorting voor total bytes written en een maat voor de hoeveelheid data die je mag verwachten naar een ssd te kunnen schrijven, is voor de 660p minder dan voor vergelijkbare tlc-drives. Onze 512GB-drive zou gedurende zijn levensduur 100TB kunnen verwerken, terwijl een tlc-drive als Samsungs 970 Evo voor dezelfde capaciteit 300TB opgeeft. Toch geeft Intel vijf jaar garantie, wat neerkomt op ongeveer 55GB per dag schrijven. Voor de gemiddelde gebruiker moet dat meer dan genoeg zijn.

Prestaties

Met de achtergrond van qlc-drives en de cijfers van Intel in het achterhoofd, wordt het hoog tijd om naar de prestaties van onze 660p te kijken. We hebben de drive met een aantal synthetische benchmarks getest en onze eigen traces op de ssd gedraaid. Daarmee krijg je een goede indruk van de daadwerkelijk te verwachten prestaties. Ten slotte hebben we ook het opgenomen vermogen van de drive gemeten.

We beginnen met de geformatteerde capaciteit van de drives. Voor deze vergelijking hebben we drives met ruwweg dezelfde capaciteit gekozen, dus grote verschillen zijn er niet. Met een 512GB-ssd hou je wel netto iets meer opslag over dan met een 500GB-drive.

Geformatteerde capaciteit
SSD SSD-interface Gemiddelde capaciteit in GiB (hoger is beter)
Intel 600p 512GB PCI-e 3.0 x4
476,94
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
476,94
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
476,94
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
476,94
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
465,76
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
465,76
Crucial MX500 500GB M2 SATA-600
465,63
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
447,13

Intel geeft voor zijn 512GB-drive een doorvoersnelheid op van 1500MB/s voor lezen en 1000MB/s voor schrijven. In AS-SSD wordt die leessnelheid ruimschoots gehaald, maar met schrijven blijft de 660p ruim onder de 1000MB/s steken. Met de random leesprestaties scoort de 660p niet best vergeleken met de competitie, maar met random schrijven is hij juist lekker rap.

  • AS-SSD - sequentieel lezen
  • AS-SSD - sequentieel schrijven
  • AS-SSD - 4k-64t random lezen
  • AS-SSD - 4k-64t random schrijven
AS SSD - Sequentiële leestransferrate
SSD SSD-interface Gemiddelde doorvoersnelheid in MB/s (hoger is beter)
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
2.714,75
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
2.643,64
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
1.636,43
Intel 600p 512GB PCI-e 3.0 x4
1.549,71
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
1.380,98
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
1.366,67
Crucial MX500 500GB M2 SATA-600
527,66
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
525,38
AS SSD - Sequentiële schrijftransferrate
SSD SSD-interface Gemiddelde doorvoersnelheid in MB/s (hoger is beter)
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
2.236,30
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
1.570,11
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
954,66
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
932,46
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
912,28
Intel 600p 512GB PCI-e 3.0 x4
517,21
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
499,48
Crucial MX500 500GB M2 SATA-600
477,67
AS SSD - 4k Random Read - 64 Threads
SSD SSD-interface Gemiddelde doorvoersnelheid in MB/s (hoger is beter)
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
1.506,61
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
927,32
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
857,80
Intel 600p 512GB PCI-e 3.0 x4
507,72
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
379,17
Crucial MX500 500GB M2 SATA-600
369,38
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
359,86
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
322,03
AS SSD - 4k Random Write - 64 Threads
SSD SSD-interface Gemiddelde doorvoersnelheid in MB/s (hoger is beter)
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
1.249,19
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
1.062,49
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
812,86
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
539,19
Intel 600p 512GB PCI-e 3.0 x4
521,33
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
348,67
Crucial MX500 500GB M2 SATA-600
343,83
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
342,75

We gaan verder met onze tracebenchmarks. De lichte workload haalt bij nvme-drives niet het onderste uit de kan, maar de heavy workload, met vooral Photoshop- en Lightroomwerkzaamheden, zet de ssd's flink aan de bak.

  • Light desktop workload - Doorvoer
  • Gaming workload - Doorvoer
  • Heavy workload - Doorvoer
Light desktop workload - Doorvoer ex opentijd
SSD SSD-interface Gemiddelde doorvoersnelheid in MB/s (hoger is beter)
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
980,50
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
728,16
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
658,00
Intel 600p 512GB PCI-e 3.0 x4
601,99
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
569,12
Crucial MX500 500GB M2 SATA-600
547,14
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
515,76
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
491,50
Gaming workload - Doorvoer ex opentijd
SSD SSD-interface Gemiddelde doorvoersnelheid in MB/s (hoger is beter)
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
1.333,34
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
988,22
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
970,00
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
859,27
Intel 600p 512GB PCI-e 3.0 x4
790,08
Crucial MX500 500GB M2 SATA-600
667,59
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
629,33
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
585,12
Photoshop & Lightroom heavy workload - Doorvoer ex opentijd
SSD SSD-interface Gemiddelde doorvoersnelheid in MB/s (hoger is beter)
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
1.451,45
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
1.389,91
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
1.000,20
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
831,56
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
718,98
Intel 600p 512GB PCI-e 3.0 x4
563,15
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
518,00
Crucial MX500 500GB M2 SATA-600
492,76

Met de Light-workload kan de 660p niet zo rap overweg en zelfs een satadrive is dan sneller. Als we meer van de ssd vragen, met de gaming- en heavy-workloads, presteert de 660p juist meer dan prima en zijn alleen Intels eigen 760p- en Samsungs 970 Evo-drives sneller.

PCMark 8 Storage - single
SSD SSD-interface Gemiddelde doorvoersnelheid in MB/s (hoger is beter)
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
524,65
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
499,43
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
477,77
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
475,34
Intel 600p 512GB PCI-e 3.0 x4
336,58
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
335,54
Crucial MX500 500GB M2 SATA-600
288,87
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
282,62

Ook PCMark heeft een tracebenchmark waarbij alle workloads gemiddeld zijn; de benchmark bevat zowel licht als zwaar gebruik. De 660p zet hier een prima score neer, met alleen Samsungs drive als snellere.

  • Opgenomen vermogen, seq. schrijven
  • Opgenomen vermogen, random schrijven
Opgenomen vermogen, seq. schrijven
SSD SSD-interface Gemiddelde opgenomen vermogen in watt (lager is beter)
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
1,7
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
2,1
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
3,0
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
3,5
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
4,9
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
7,1
Opgenomen vermogen, random schrijven
SSD SSD-interface Gemiddelde opgenomen vermogen in watt (lager is beter)
Toshiba RC100 480GB PCI-e 3.0 x2
1,6
Samsung 860 EVO 500GB SATA-600
1,6
Silicon Power P32A80 512GB PCI-e 3.0 x2
1,9
Intel 660p 512GB PCI-e 3.0 x4
2,5
Intel 760p 512GB PCI-e 3.1 x4
2,8
Samsung 970 Evo 500GB PCI-e 3.0 x4
3,8

We kunnen het idleverbruik van nvme-drives helaas niet meten, dat zit onder de grens van de meetnauwkeurigheid. Onder load tijdens sequentiële en random schrijfacties kunnen we het vermogen wel meten en dan blijken de qlc-chips van Intel een keurige middenmoter.

Degradatie

In deze laatste en zwaarste test kijken we naar de prestaties van de ssd's bij intensief gebruik. Dit is een uitgebreide versie van de PCMark 8 Storage-test hierboven, maar in deze variant draaien we die traces achttien keer, in drie fases. Voorafgaand aan de eerste fase, de degradatiefase, wordt de hele ssd eerst twee keer volgeschreven met random data om alle caches en overprovisioningnand volledig te bezetten. Dan worden de traces acht keer uitgevoerd, met daartussen steeds langere random schrijfacties, van tien minuten oplopend tot drie kwartier. De slechtst mogelijke prestaties van de ssd worden nu bereikt en in de steady-statefase meten we die door opnieuw de traces te draaien. Dat gebeurt vijf keer, met tussendoor steeds drie kwartier random schrijfactiviteit. Daarna, in de laatste recoveryfase, draaien we de traces nogmaals vijf keer, maar dit keer zonder random schrijfactiviteit vooraf. In plaats daarvan krijgen de garbage collection- en andere huishoudelijke algoritmes steeds vijf minuten idletijd om de ssd-prestaties weer op niveau te krijgen.

De prestaties van 660p zakken in de degradatie- en steady-statefases nogal in en de prestaties behoren dan ook tot de minste in de test. Bij de recovery herstelt de drive wel redelijk, maar blijft hij nog altijd ver onder het niveau van de individuele PCMark-test.

Conclusie: rap en niet duur

Ssd's halen nog lang niet het prijsniveau van harde schijven, maar met de introductie van qlc-nand gaan de prijzen wel verder omlaag en kan de capaciteit verder toenemen. Intels 660p is de eerste qlc-drive die daadwerkelijk voor de consumentenmarkt is bedoeld en redelijk verkrijgbaar is. Dat de prijzen zakken, laat de 660p wel zien. Je koopt immers een nvme-drive, in tegenstelling tot sommige concurrenten inclusief dram-cache, voor de prijs van een mainstreamsata-ssd. Intel levert de 660p in capaciteiten tot 2TB, maar waarschijnlijk zien we van Intel of andere fabrikanten in de nabije toekomst grotere capaciteiten.

Nu is 20 cent per gigabyte nog lang geen hardeschijfprijs, want die zitten op een paar cent per GB, maar de prijzen kruipen naar elkaar toe. Een ssd is nog maar een keer of zes zo duur per GB als een harde schijf, een factor die niet zo lang geleden nog minstens tien was. Voor die meerprijs krijg je bovendien veel betere prestaties en met de 660p laat Intel zien dat zelfs een budgettechnologie als qlc nog alleszins redelijk presteert.

Je hoeft geen prestaties van een high-end ssd als een Samsung 970 Pro te verwachten, maar je betaalt dan ook de helft. Daarmee zit de 660p in het vaarwater van satadrives, terwijl de qlc-drive over het algemeen dankzij zijn nvme-interface veel sneller is. Met andere woorden: nvme-prestaties voor een sataprijs. Snellere, vergelijkbaar geprijsde budget-nvme-drives zijn lastig te vinden, dus wat ons betreft heeft Intel een prima ssd op de markt gezet.

We moeten nog afwachten hoe het met de levensduur van qlc-nand zit, maar Intel lijkt er met zijn vijf jaar garantie vertrouwen in te hebben. Voor prijsbewuste tweakers die op zoek zijn naar een ssd voor alledaags gebruik, is de 660p dan ook zonder meer een prima koop. Alleen voor veeleisende gebruikers die de ssd zwaar belasten, zouden we een duurdere ssd aanraden, want qlc is ondanks zijn slc-cache inherent wat trager dan tlc, dat op zijn beurt weer trager is dan het inmiddels zeer zeldzame mlc.

  • Intel 660p 512GB
  • Intel 660p 1TB
  • Intel 660p 2TB

Laagste prijzen voor: Intel 660p 512GB
Winkel Beoordeling Prijs Totaal

All In One Systems

€ 42,89

€ 48,84

Kostenoverzicht

Productprijs
€ 42,89
Pakketpost Nederland (tot € 500,-)
€ 5,95
iDEAL
€ 0,-
Totaal
€ 48,84

Bekijk

Amazon.nl Marketplace

€ 100,40

€ 100,40

Kostenoverzicht

Productprijs
€ 100,40
Opsturen vanaf €20,-
€ 0,-
iDEAL
€ 0,-
Totaal
€ 100,40

Bekijk

RedShell.nl | zakelijk

€ 122,63

€ 130,13

Kostenoverzicht

Productprijs
€ 122,63
Opsturen tot € 250,- excl. btw
€ 7,50
iDEAL
€ 0,-
Totaal
€ 130,13

Bekijk

Beat-it.nl | alleen zakelijk

€ 233,53

€ 245,63

Kostenoverzicht

Productprijs
€ 233,53
Pakketpost
€ 12,10
iDeal
€ 0,-
Totaal
€ 245,63

Bekijk

Laagste prijzen voor: Intel 660p 1TB
Winkel Beoordeling Prijs Totaal

Dustin

€ 180,90

€ 180,90

Kostenoverzicht

Productprijs
€ 180,90
Opsturen
€ 0,-
iDEAL
€ 0,-
Totaal
€ 180,90

Bekijk

Reacties (103)

103
100
57
3
0
23
Wijzig sortering
Ik vraag me af of de voorstelling van "4 bits" per cel in een QLC wel juist is. Volgens het plaatje zou 1 cel dan 16 waardes kunnen bevatten. Alsof je binnen de cel de 4 bits op elk een eigen positie kan aanspreken, en dat lijkt me niet het geval.
Volgend mij heb je in een QLC 4 spanningsnivo's. De cel kan dan 4 waardes bevatten: 0, 1, 2 of 3.
En dan is de cel een 2 bits geheugen.
Het gaat er niet om dat je ze op eigen positie kan aanspreken, je leest (en schrijft) de cel uit als 4 bits.

Als je 16 verschillende spanningsniveaus hebt dan moet je je voorstellen dat ieder voltage een afzonderlijk bit-patroon voorstelt, bijvoorbeeld

0 V : 0 0 0 0
1 V : 0 0 0 1
2V : 0 0 1 0
3V : 0 0 1 1
4V : 0 1 0 0
5V : 0 1 0 1
6V: 0 1 1 0
7V: 0 1 1 1
etc

Bij het uitlezen van de spanning "weet" je dus de toestand van alle 4 bits in de cel.
Het gaat er niet om dat je ze op eigen positie kan aanspreken, je leest (en schrijft) de cel uit als 4 bits.

Als je 16 verschillende spanningsniveaus hebt dan moet je je voorstellen dat ieder voltage een afzonderlijk bit-patroon voorstelt, bijvoorbeeld

0 V : 0 0 0 0
1 V : 0 0 0 1
2V : 0 0 1 0
3V : 0 0 1 1
4V : 0 1 0 0
5V : 0 1 0 1
6V: 0 1 1 0
7V: 0 1 1 1
etc

Bij het uitlezen van de spanning "weet" je dus de toestand van alle 4 bits in de cel.
Als je 16 waardes in een cel stopt zou het zo moeten ja.
Echter werkt men vaak op 3Volt, en daarbinnen moet je dan 16 nivo's onderscheiden? Lijkt me onhaalbaar.
Als ik Micron volg zijn er bij QLC 4 nivo's, geen 16.
https://www.micron.com/~/...lash/qlc_nand_density.jpg

4-bit per cel, 2^4=16 levels.
Hoezo onhaalbaar? Je ziet dat de (write) endurance achter uit gaat. Maar een consumenten SSD mag blij zijn als het al aan 250 or 500 complete cycles na 5 a 10 jaar komt..

Met 3.3V VDD is elk niveau dus ~200mV. Klinkt redelijk om te behalen, maar endurance is het sleutel woord..

[Reactie gewijzigd door Hans1990 op 22 juli 2024 22:06]

Bij het schrijven van flash (en EEPROM) gebruikt men een charge of voltage pump. De daadwerkelijke voltage die voor het schrijven (en vooral wissen) van flash gebruikt wordt is veel hoger dan de gebruikte spanning van de SSD zelf.

Wikipedia (EN):

As of 2007, charge pumps are integrated into nearly all EEPROM and flash-memory integrated circuits. These devices require a high-voltage pulse to "clean out" any existing data in a particular memory cell before it can be written with a new value. Early EEPROM and flash-memory devices required two power supplies: +5 V (for reading) and +12 V (for erasing). As of 2007, commercially available flash memory and EEPROM memory requires only one external power supply – generally 1.8 V or 3.3 V. A higher voltage, used to erase cells, is generated internally by an on-chip charge pump.

Hoewel het laden een minimale tijd kost kan het toch wel uitmaken of je schrijft of leest. Dit is dus een van de vele redenen waarom schrijven bij een SSD een stuk trager is dan lezen.

Processors draaien ook vaak op verschillende voltages. Het idee dat de interne spanning gelijk is aan de buitenspanning is allang niet meer toepasselijk voor veel complexe elektronische componenten.

[Reactie gewijzigd door uiltje op 22 juli 2024 22:06]

@uiltje
Uit deze link begrijp ik zo'n beetje dat een QLC cell dus 16 spanningsnivo's heeft. Het lijkt er sterk op dat ze dat uitlezen met een 'gewone' ADC (Analog to Digital Converter), en dat zou kunnen in 4 cycles.
Kan haast niet geloven dat het zo gaat. Ik ben bekend met AVR controllers, en het lijkt me daar een tamelijk gecompliceerd proces.
Om bv een blok van 8 bytes (16 cellen a 4 bit) te lezen zou je 16 supersnelle ADC's parallel moeten hebben. Dat lijkt me een complexe chip, maar ook weer niet onmogelijk.

Wat ik me ook afvraag: hoe werkt het mechanisme om die 16 spanningsnivo's stabiel te houden, zonder refresh.
Normaal gesproken kan je nog zo'n goede isolatie hebben, maar er lekt altijd wat weg...

[Reactie gewijzigd door Bruin Poeper op 22 juli 2024 22:06]

fout, QLC geheugen heeft juist 16 spanningsnivo's waarmee 4 bits te vormen zijn. Volgens mij heeft QLC daarom ook niet echt heel veel toegevoegde waarde: dubbele hoeveelheid spanningdsnivo's (verdubbelde kans op fouten) en maar 1/3 mee opslag capaciteit. 5LC geheugen zie ik dan ook niet zo snel onstaan: nog een verdubbeling op kans van fouten en maar 1/4 meer opslag mogelijkheid. Ik denk dus dat QLC ook wel het eindstation is.
Waar haal je 1/3 extra opslagcapaciteit vandaan? Deze gaat gewoon X 2 je kan immers dubbel zo veel bits kwijt in dezelfde cel.
Slc: 1/8 byte per cel
Mlc: 2/8 byte per cel
Tlc: 3/8 byte per cel
Qlc: 4/8 byte per cel

Tlc - > qlc = (4/8) / (3/8) = 1.333 = 1/3 extra opslag

[Reactie gewijzigd door The Underminer op 22 juli 2024 22:06]

nog simpler

TLC: 3 bits per cel
QLC: 4 bits per cel

TLC->QLC = 4/3 = 1/3 extra :)
Inderdaad, helemaal mee eens. 16 verschillende niveaus lijkt mij ook niet erg betrouwbaar.
Ik neem aan dat die spanning langzaam weglekt. Wellicht wordt er zo nu en dan gerefreshed. Maar zou een SSD onbetrouwbaar zijn als je hem een hele tijd zonder spanning laat staan?
Dat is inderdaad het geval: de spanning word ververst en als je ze lang laat liggen ben je het kwijt.
Volgens mij kopiëren mensen zonder bronnen de fouten van anderen.

Zelfs Wikipedia. Zo staat er op Wikipedia 'Samsung refers to this technology as 3-bit MLC.' maar de link [15] is een algemene link naar de marketing site van Samsung waar ik die informatie niet kan verifiëren en ik betwijfel of dit statement destijds écht létterlijk is gequote van Samsung.

In ten minste één van de referenties op Wikipedia staat uitvoerig beschreven dat een 4 level cell 4 voltage niveaus heeft voor het schrijven van data en nog eens 3 (tussenliggende) 'reference voltages' voor het teruglezen. Helaas is dit een document dat niet over NAND gaat, maar ik vrees dat het generieke geval ook op NAND van toepassing is.

Dus wat mij betreft de L staat voor level, niet bits. Voltage niveaus. Ik ben er alleen niet zeker van hoe de naamgeving tot stand gekomen is. SLC staat in elk geval voor single-level cell (een cell met 1 niet-nul voltage, dus binair, dus 1 bit per cell), in de terminologie van dat wetenschappelijke artikel dus een twee-level memory cell ookal staat er Single in de naam. Mogelijk is dat voor TLC net iets anders in de zin dat er 3 niveaus zijn in totaal (inclusief 0V). Of ik beschrijf hier MLC en dan wordt met TLC bedoeld 3 niet-nul niveaus, dus base-4, dus 2 bits per cell. En met QLC 4 niet-nul niveaus, dus base-5. Dat is consistenter en lijkt me correct.

Overigens zijn binaire cells (bits) enkel noodzakelijk voor werkgeheugen in de breedste zin van het woord (CPU registers, RAM, mappable ROM, etc). Alle berekeningen zijn base-2 en dit soort geheugen is noodzakelijkerwijs byte-addressable. Permanente externe storage zoals Flash is block-addressable geheugen. Het is geen enkel probleem om een willekeurig aantal niveaus te gebruiken zoals 3, 5 of 7 even los van de productiecomplexiteit. Dat wordt dan gewoon de getalsbasis (zoals 2 de basis is van 2-level cells ofwel bits). En kan je uitrekenen hoeveel base-3 cells je nodig zou hebben voor elke gewenste blokgrootte gerekend in bytes of bits. Het is ook geen enkel probleem om voor elke individuele cel in een blok uit te rekenen wat de base-3 waarde is gegeven een reeks base-2 bits. Zeker niet aangezien het toch allemaal per blok gestreamd wordt en sequentieel voor opeenvolgende cells kan worden berekend.

[Reactie gewijzigd door ewj op 22 juli 2024 22:06]

Dus tlc heeft 3 spanningsniveaus, de cel kan dan 3 waardes bevatten: 0,1,2 ofwel 2^x = 3, 'En dan is de cel een 1.585 bits geheugen'.. lijkt me sterk.
tlc heeft 3 bits per transistor -> 2^3 = 8 spanningsniveaus per transistor.
Dus tlc heeft 3 spanningsniveaus, de cel kan dan 3 waardes bevatten: 0,1,2 ofwel 2^x = 3, 'En dan is de cel een 1.585 bits geheugen'.. lijkt me sterk.
In mijn optiek is je constatering juist.
Ik herhaal de verwijzing naar Micron:
https://www.micron.com/~/...echnology_flyer.pdf?la=en
QLC NAND packs 33% more data into every cell compared to its triple level cell (TLC) equiv

Een QLC heeft dus 4 spanningsnivo's. de cel kan 4 waardes bevatten: 0,1,2,3 ofwel 2^x=4 'En dan is de cel een 2 bits geheugen'.... :)

[Reactie gewijzigd door Bruin Poeper op 22 juli 2024 22:06]

Heb je daar een bron voor?
Dan zou je namelijk ook wikipedia even moeten aanpassen en daarbij je betrouwbare bron even moeten noemen.
using 16 discrete charge levels (states) in each individual transistor.
Wikipedia heeft daar wel bronnen voor om dit te onderbouwen overigens.


Maar uitgaande van jouw visie, hoe zie je dat voor je met 3 en 1 state? de 1 state is een velletje papier waar je niets mee kunt? 1 state, geen spanning? En hoe wil je de 3e state benutten in een binair systeem? Twee states is simpel een bit, maar hoe vertaal je die derde naar een bit?

[Reactie gewijzigd door JDVB op 22 juli 2024 22:06]

Opvallend dat de 512GB-versie in de markt veel goedkoper te krijgen is dan de 256GB-versie; als je perse 256GB wil hebben, betaal je (bijvoorbeeld) bij Azerty maar liefst EUR 16,50 meer.

Wie koopt dan nog de 256GB-versie vraag ik me af 8)7

[Reactie gewijzigd door Heroic_Nonsense op 22 juli 2024 22:06]

:*) Ik denk dat daar iets niet klopt
Als het niet klopt, gaat het bij de winkeliers zelf mis, want je komt wel gewoon op de verwachte productpagina bij de winkel uit.

Wellicht heeft het met vooraden (al dan niet bij de distributeur) te maken.

Het zit er wel dik in dat naarmate de 256GB echt goed leverbaar wordt, dat dit verschil zich opheft.
Heeft ook met populariteit te maken. Zie je bij de Crucial MX500 ook wel: 250GB niet heel gunstig geprijsd tov de 500GB versie, maar de 1TB versie is dan meer dan 2x zo duur als de 500GB versie. Komt puur omdat de 500GB drive op dit moment de hardloper is en de overige capaciteiten veel minder verkocht worden.
Ik denk dat je daar oorzaak en gevolg omwisselt. De 500GB verkoopt zo goed omdat de prijs per GB lager is dan van de 250GB en 1TB broertjes.
Weet niet hoe jij winkelt, maar als ik een SSD zoek pak ik gewoon wat ik nodig heb tegen de laagste prijs. Prijs per gigabyte is totaal niet interessant voor de gewone consument. Bij 250GB vs 500GB is het met de huidige prijzen vooral "voor 25 euro meer heb ik 2x zoveel ruimte, doe dan die grotere maar".
De 1TB versie is qua productiekosten echt niet >2x de 500GB versie, maar is op dit moment wel zo geprijsd.
Ik kijk wel naar prijs per GB om een keuze te maken tussen HDD / ODD, danwel om een kleine budgetvergroting te verantwoorden om voor de 'next size' te gaan.
Jij winkelt niet voor iedereen. En als je nu 250 nodig hebt heb je met een half jaar misschien wel weer meer nodig ;) :)
Dat denk ik ook (3x).
Voorraad is laag, daardoor de prijs weer hoog. Ik gok dat de 250Gb variant - gezien de prijzen van andere 250Gb NVMe SSD's - eerder richting de 80 gaat (of lager)

[Reactie gewijzigd door Nat-Water op 22 juli 2024 22:06]

die is er niet
https://www.intel.com/con...mer-ssds/660p-series.html

Ik heb de 1tb versie en ben er over te spreken, net eff wat vlotter dan de 512 gb en een sata schijf.
Merk geen verschil eigenlijk in gebruik met de "in de tests" veel snellere samsung.
Dus dan heb je straks een 256GB met een gigantische hoeveelheid provisioning? :)

Wel opvallend dat Intel zelf geen 256GB-versie vermeldt. Dat zou wel de vreemde prijs verklaren (en het kleine aantal winkels dat hem verkoopt).
Da's niet echt vergelijkbaar. 4 jaar verschil en een andere formfactor.

Verder - de 256GB is nog slecht leverbaar. Dan is de prijs niet betrouwbaar.

[Reactie gewijzigd door Nat-Water op 22 juli 2024 22:06]

Ik kijk misschien dan mis, maar jij geeft 2 linkjes waarvan de één een 2.5" SSD van 2014 is en de ander een NVMe 2280 SSD uit 2018 is. Daar zit onderling al een flink verschil tussen. Die vergelijking gaat gewoon domweg niet op. Als je al iets representatiever wil zijn pak je de 860 evo, niet de 850..

Je kan hooguit de 970 Evo tegenover de 660p houden, wat dan ook gedaan is in de review. Dan zie je precies dat de Samsung SSD's over het algemeen al duur zijn.

[Reactie gewijzigd door Nat-Water op 22 juli 2024 22:06]

Duur ?

512 GB is minder dan 30 euro duurder dan de Intel 256GB.... ken jij iemand die prijsbewust is en waarover zou vallen?
Kom anders eens een kijkje nemen in Desktop Aankoopadvies. Daar gebeurt niet anders ;)

Maar oorspronkelijke punt is dat je vergelijking tussen een 850 en een 970 gewoon niet opgaat.
Ik heb het idee dat ik tegen een muur aan het praten ben, maar goed:

Zat PC's die nog gebouwd worden met 250Gb SSD's. Vergeet niet dat je voor normaal non-gaming gebruik gewoon niet heel veel opslag nodig hebt. Je Facebook en mail, plus de uitslagen van je sportclub checken nemen niet veel ruimte in. Dan kan je wel 30 euro uitgeven aan een extra grote SSD, maar als je die toch al niet gaat gebruiken kan je daarvan net zo goed een leuk flesje wijn kopen. Heb je meer lol aan. Of gewoon het geld besparen - voor veel mensen is 30 euro wel flink wat geld.

Verder gaat je vergelijking niet op omdat je keuze voor een 850 niet goed is. De 850 is EOL, al vervangen door een nieuwere variant, en daardoor weer duur. De 860 is voor dezelfde hoeveelheid opslag (500GB) 88 euro t.o.v. de 115 van de 850.

[Reactie gewijzigd door Nat-Water op 22 juli 2024 22:06]

Office kan niet op een chromebook, net zoals geen OneDrive.
Als je gewoon een huis tuin keuken pc wilt is 256 genoeg, citrix is 'n wat excel bladen heb je echt niet meer nodig.
Chromebook met office apps en online sync werkt.
Je krijgt, ze uit de Playstore ja, heb daar zelf geen goede ervaringen mee.
ik heb office en onedrive op mijn android.
Daar gaat het bij samsung om je hebt relatief best goede kwaliteit , voor een lange levensduur en ze zijn ook nog snel.Bij deze nieuwere drives van intel zijn ze best goedekoop door deze nieuwe techniek maar de mtbf licht lager dan normaal plus ze durven daar ook nog jaren aan garantie te geven.Het zijn allemaal keuzes wat je moet maken.Hoelang zal zo een ding minimaal voor jouw mee moeten gaan?
Een gewone magneetschijf gaat ongeveer 5 jaar mee en daar geven ze 3 jaat garantie op.
Dan heb ik het niet over wat sommige bedrijven gebruiken voor een drive die de server ingaat, deze mtbf van deze server drive zal vele malen hoger liggen.Maar deze nieuwe intel drive is goedkoop maar gaat niet zo lang mee als de duurdere modellen.Het is een overweging wat je moet maken.Als er bad sectors op beginnen te komen dan moet ja langzaam gaan denken voor een andere drive te kopen.

[Reactie gewijzigd door rjmno1 op 22 juli 2024 22:06]

SSD's worden groter en betaalbaarder. SSD's kunnen dus meer en meer als vervanger van HD dienen voor storage/backup.

Nu hebben jullie slechts 500GB getest maar ik zou toch wel benieuwd zijn, als ik bijv. 400GB wil wegschrijven, hoe ziet dan de sustained write snelheid er uit :?
Niet zo heel goed, gezien de maximale SLC cache. Hoewel nog altijd sneller dan een HD. Echter is een 400G sustained write niet echt een consumer workload.

Er zijn een aantal sites die dit wel hebben getest met de grotere varianten, maar de conclusie is, niet onverwacht, dat als de SLC cache op is de prestatie flink omlaag gaat. Effectief kun je, even uit mijn hoofd, tot 80GB schrijven onder cache. Daarin past volgens mij 99% van de usecases van consumenten.
Inderdaad vandaar dat ik benieuwd was hoe het bij deze SSD zit. Dat het niet zo heel goed is, is wel te verwachten.

Toch wordt dit wel meer van belang denk ik naarmate SSD's groter worden en dan is QLC en hun opvolgers met een te kleine SLC cache wel een achilleshiel.

Bij mijn HD's kan ik Terrabytes wegschrijven zonder dat de sustained write fors wegzakt.
Die is nooit overal gelijk..... van buiten naar binnen loopt die bij een hd sowieso af....

Bij de intel 660 ssd is een tool te downloaden waarbij je handmatig de cache kunt legen mocht je ooit in 1 x je volledige cache willen benutten...
voor dagelijks normaal gebruik is het een topper.

Voor server gebruik en de veeleisende gebruiker is deze niet geschikt, dan adviseren ze bij intel een andere te kiezen...
Ik zeg ook niet dat hij gelijk blijft maar hij zakt iha bij een HD veel minder fors weg dan bij een QLC /slc cache SSD.

Juist vanwege de QLC technieken komen er steeds meer grotere SSD's op de markt, bijv 2Tb ook in consumer versies en komen de prijzen omlaag. Een archive/storage usercase wordt dus relevanter.

De opvolger van QLC zal ongetwijveld nog meer capaciteit tegen een nog lagere prijs brengen.
Er staat "De Intel 660p is in vier varianten verkrijgbaar,.....": dat is denk ik een typo?
Op de Intel site zie ik geen vier maar drie modellen.
We moeten nog afwachten hoe het met de levensduur van qlc-nand zit, maar Intel lijkt er met zijn vijf jaar garantie vertrouwen in te hebben. Voor prijsbewuste tweakers die op zoek zijn naar een ssd voor alledaags gebruik, is de 660p dan ook zonder meer een prima koop.
Vreemde conclusie..... immers van Samsung tlc schijven is bekend dat ze in theorie langer dan 50 jaar mee gaan en hebben dezelfde prijs.

Dus waarom zou je deze afweging maken ?

Als je iets koopt voor 5 jaar wat je privé niet gaat doen, wil je nog steeds niet teveel betalen of rekening moeten houden dat "SSD failure" zich meestal niet zal aankondigen.

Bovendien hoe zit het met veiligheid bij stroom uitval heeft deze Intel daar iets voor?

Ik weet uit eigen ervaring (heb 20 EVO's 24/7 draaien) dat die er geen last van hebben.
Klopt niet van de prijs. Bij de grotere formaten SSD zijn evo's meer dan 25% duurder (zelfde formfactor en aansturing)

Dat prijsverschil is significant genoeg om bij een keuze mee te wegen als je het als een lichtere store device wil gebruiken
Klopt niet van de prijs. Bij de grotere formaten SSD zijn evo's meer dan 25% duurder (zelfde formfactor en aansturing)
Een Samsung 860 EVO m.2 500GB is ruim een tientje goedkoper dan de Intel 660p 512GB.
Een Samsung 860 EVO m.2 1TB is bijna twintig euro goedkoper dan de Intel 660p 1TB.
Een Samsung 860 EVO m.2 2TB is slechts drie euro duurder dan de Intel 660p 2TB.

Als je naar de 970 EVO m.2 serie gaat kijken is die inderdaad duurder.
De 860 is echter een sata-600 en geen NVME schijf dus geen appels met appels. De vergelijking moet je dus idd maken met de 970. Of voor de performance kiezen van een Sata-600
@jh26
Je moet even in je laptop connector kijken. De mijne heeft 1 blokkeernok en is PCIe 3.0x4. Van Wikipedia:
For example, M.2 modules with two notches in B and M positions use up to two PCI Express lanes and provide broader compatibility at the same time, while the M.2 modules with only one notch in the M position use up to four PCI Express lanes; both examples may also provide SATA storage devices. Similar keying applies to M.2 modules that utilize provided USB 3.0 connectivity.[4][16][18]

Mijn laptop heeft PCIe 3.0x4 80mm. Hij had origineel 126GB kaartje met 2 gleuven. Die gebruikte dus maar maximaal 2 lanes.
Die heb ik vervangen door een Intel 600P met 1 gleuf en gebruikt 4 lanes.

Ik neem aan dat een laptop die maximaal 2 lanes ondersteunt een connector met 2 blokkeernokken heeft.

Omdat de Intel 660P ook maar een gleuf heeft ga ik er van uit dat hij compatibel is met de Intel 600P.

[Reactie gewijzigd door Bruin Poeper op 22 juli 2024 22:06]

@Bruin Poeper Bedankt voor jouw bericht! Ik vind het allemaal erg verwarrend om eerlijk te zijn en het is inderdaad het makkelijkst om het open te schroeven en te kijken of het past. Was ik ook van plan om te doen als ik vanavond thuis ben.

Maar ik heb net een user manual gevonden waar er spart part numbers erbij staan en als ik hierop google zie ik dat het maar 1 gleuf heeft met de volgende beschrijving:
Hewlett Packard - 256GB PCIe NVMe Gen 3.0 x4 TLC 3D-NAND M.2 NGFF (2280) Zturbo Solid State Drive

Dus ik denk dat mijn laptop wel gaat werken met deze ssd? :)
@Bruin Poeper Bedankt voor jouw bericht! Ik vind het allemaal erg verwarrend om eerlijk te zijn en het is inderdaad het makkelijkst om het open te schroeven en te kijken of het past. Was ik ook van plan om te doen als ik vanavond thuis ben.

Maar ik heb net een user manual gevonden waar er spart part numbers erbij staan en als ik hierop google zie ik dat het maar 1 gleuf heeft met de volgende beschrijving:
Hewlett Packard - 256GB PCIe NVMe Gen 3.0 x4 TLC 3D-NAND M.2 NGFF (2280) Zturbo Solid State Drive

Dus ik denk dat mijn laptop wel gaat werken met deze ssd? :)
Dat denk ik wel! Bij mijn HP werkt het ook xo.

productreview: Intel 600p 512GB review door Bruin Poeper
Top! Bedankt voor de links! Ga ik ook moeten doen dus hahaha :)
Bij https://www.heise.de/prei...ich/?cat=hdssd&asuch=660p is 256GB (vandaag vanaf €127,90) ook duurder dan 512GB (vandaag vanaf €102,81)
Het lijkt of het 'onmogelijke' toch het geval is.
https://www.extremetech.c...nd-4-bit-qlc-breakthrough
SLC = 2 voltage levels, cell can hold 1 bit
MLC = 4 voltage levels, cell can hold 2 bits
TLC = 8 voltage levels, cell can hold 3 bits
QLC= 16 voltage levels, cell can hold 4 bits

Ik geef me (nog niet helemaal) gewonnen. _/-\o_
kZou wel eens willen zien hoe die levels ingesteld/gedetecteerd worden...
Edit:
https://www.theregister.co.uk/2016/07/28/qlc_flash_primer/
Spreekt van interne spanningen van 18 a 20V...

[Reactie gewijzigd door Bruin Poeper op 22 juli 2024 22:06]

Hm zou je niet een 'kapotte QLC cell' kunnen degraderen naar een TLC om zo de levenduur te verlengen ? (Ja je opslag krimpt in, maar dat zou anders veel meer gebeuren.. )

... Als dat kan dan is de volgende vraag degradatie TLC -> MLC -> SLC -> dood :) Naja, SSD's zijn vrij goedkoop dus misschien is het allemaal de moeite niet..
Hm zou je niet een 'kapotte QLC cell' kunnen degraderen naar een TLC om zo de levenduur te verlengen ? (Ja je opslag krimpt in, maar dat zou anders veel meer gebeuren.. )

... Als dat kan dan is de volgende vraag degradatie TLC -> MLC -> SLC -> dood :) Naja, SSD's zijn vrij goedkoop dus misschien is het allemaal de moeite niet..
Dan neemt je capaciteit af, wat ga je dan doen met de data die niet meer past?
Je capaciteit neemt ook af als je die cell niet probeert te hergebruiken he ;) Meer zelfs.
Een defecte cel bij een SSD werkt anders dan een defecte sector op een harde schijf. Bij een harde schijf is een sector plots niet meer uit te lezen en wordt deze gemarkeerd als bad sector. In geval van de SSD is de cel niet meer te beschrijven, maar meestal nog wel uit te lezen. Je verliest daardoor in de basis geen data. Verder zijn er nog wat reserve cellen aanwezig. Gaan er genoeg cellen stuk dan begint smart te piepen. Daarmee ben je het punt dat je capaciteit effectief gaat afnemen nog lang niet tegengekomen, daarvoor is de ssd al niet meer te vertrouwen. Verder zitten er nogal wat cellen in een 500GB+ SSD ;).

Overigens is er ook eigenlijk geen noodzaak voor je suggestie aangezien ik tot heden nog niemand ben tegengekomen die de max tb written heeft bereikt.

[Reactie gewijzigd door sdk1985 op 22 juli 2024 22:06]

Misschien een blonde vraag, maar ik wil graag mijn laptop SSD vervangen.
Ik zat te twijfelen tussen de Crucial MX500 m.2 500GB en Samsung 850 EVO M.2 500GB.
Zal de 660p ook passen qua connector? Op de foto ziet deze er toch net anders uit.
En bij de crucial en samsung staat er namelijk sata-600 bij de connector info.
En bij de 660p staat er PCI Express 3.0 x4, terwijl ze wel allemaal hetzelfde formaat (M.2 80mm) aangeven.
Ik dacht namelijk zelf dat er met M.2 het formaat maar ook de connector werd bedoeld.
Bij mijn product informatie staat er dat er een PCIe® NVMe™ M.2 SSD in zit.

Bedankt alvast!!

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.