TSMC heeft er alle vertrouwen in dat de overstap van 130 naar 90 nanometer transistors later dit jaar een stuk soepeler zal verlopen dan de sprong van 0,18 naar 0,13 micron, zo schrijft SiliconStrategies. Klanten van de foundry die snel wilden overstappen naar het 0,13 micron-procédé kwamen in de problemen omdat er in het begin zeer slechte yields werden gehaald. Het bekendste voorbeeld van een TSMC-klant die hierdoor in de problemen kwam is nVidia, dat onder andere hierdoor zijn GeForce FX verschillende keren moest uitstellen. Omdat men voor het 90nm-procédé een aantal van dezelfde technieken en materialen blijft gebruiken (die bij de overstap naar 130nm nog nieuw waren) en omdat men al voorbereid is op de grotere 300mm-wafers, verwacht men dit keer tegen veel minder problemen aan te lopen. Toch zijn de klanten huiverig; de lijst van 'early adopters' is gekrompen, en sommigen vragen zich af of het wel verstandig is om dezelfde coating te blijven gebruiken:
When the foundry rolls into volume for 90-nm, there will be just one dielectric offering -- Applied Materials' Black Diamond, with a k-value of 2.9 or less. Some customers have asked whether TSMC will also offer fluorine-doped silicate glass (FSG) film, as it does at 130-nm, for the safety net of a more predictable material.
Yet the foundry seems confident that it can improve its yields using just Black Diamond. Still, Chiang said, he understands the worries when considering the stories of the past few years.